[发明专利]一种光子晶体结构GaN基LED的制作方法

权利要求书

1.一种光子晶体结构GaN基LED的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)利用金属有机化学气相沉积的方法在衬底上依次外延生长N-GaN层、多量子阱有源 区和P-GaN层，形成GaN基LED的材料外延片；

(2)在步骤(1)生长的P-GaN外延层上生长沉积氧化铟锡薄膜层，作为P型透明导电 层；

(3)将氧化铟锡的靶材溶于盐酸溶液作为氧化铟锡的前驱体，然后用水稀释至合适的浓 度，其中氧化铟锡前驱体溶液的质量百分浓度为1％--10％；

(4)在生长沉积了氧化铟锡薄膜的外延片上铺一层单层的聚苯乙烯球，然后在聚苯乙烯 球单层膜和氧化铟锡层之间的空隙填充稀释后的氧化铟锡的前驱体溶液；

(5)将带氧化铟锡前驱体溶液的外延片置于烘箱中，120℃干燥1小时，然后转移到马 弗炉中，升温至500℃，煅烧30分钟，自然降至室温；经过高温反应后，氧化铟锡的前驱体 会转变成氧化铟锡的碗状周期排列结构，即光子晶体结构；

(6)经光刻、腐蚀氧化铟锡和ICP干法刻蚀，使N-GaN层暴露；

(7)分别在氧化铟锡光子晶体层和暴露的N-GaN上制作出P电极和N电极，再进行合金 化；

(8)将衬底减薄，解理后形成单个芯片，完成器件的制作。

2.根据权利要求1所述的光子晶体结构GaN基LED的制作方法，其特征在于，所述步骤(4) 中聚苯乙烯球的直径为100nm--1000nm。