[发明专利]金属纳米颗粒复合材料及其制备方法无效
| 申请号: | 200910247570.X | 申请日: | 2009-12-30 |
| 公开(公告)号: | CN101797824A | 公开(公告)日: | 2010-08-11 |
| 发明(设计)人: | 黄欢;王阳;翟凤潇;吴谊群 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号: | B32B9/04 | 分类号: | B32B9/04;B32B15/04;C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 张泽纯 |
| 地址: | 201800 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 金属 纳米 颗粒 复合材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种金属纳米颗粒复合材料,其特征在于:包括沉积在基片(1)上的金属 层(2)、相变材料层(3)和保护层(4)多层结构薄膜,在所述的相变材料层中分 散分布有金属纳米颗粒的复合材料(5);
所述的基片(1)为厚度为0.1~3.0mm的Si片、或K9玻璃片、或聚碳酸酯片;
所述的金属层(2)为厚度为5~500nm的Ag、或Au、或Pt、或Cu、或Al薄 膜;
所述的相变材料层(3)是厚度为5~500nm的GeSbTe、或AgInSbTe、或SbTe、 或SiSb相变材料薄膜;
所述的保护层(4)为厚度0~50nm的SiN或ZnS-SiO2薄膜;
所述的复合材料(5)为厚度为10~1000nm的Ag纳米颗粒-GeSbTe复合材料、 或Au纳米颗粒-GeSbTe复合材料、或Pt纳米颗粒-GeSbTe复合材料、或Cu纳米颗 粒-GeSbTe复合材料、或Al纳米颗粒-GeSbTe复合材料、或Ag纳米颗粒-AgInSbTe 复合材料、或Au纳米颗粒-AgInSbTe复合材料、或Pt纳米颗粒-AgInSbTe复合材料、 或Cu纳米颗粒-AgInSbTe复合材料、或Al纳米颗粒-AgInSbTe复合材料、或Ag纳 米颗粒-SbTe复合材料、或Au纳米颗粒-SbTe复合材料、或Pt纳米颗粒-SbTe复合 材料、或Cu纳米颗粒-SbTe复合材料、或Al纳米颗粒-SbTe复合材料、或Ag纳米 颗粒-SiSb复合材料、或Au纳米颗粒-SiSb复合材料、或Pt纳米颗粒-SiSb复合材料、 或Cu纳米颗粒-SiSb复合材料、或Al纳米颗粒-SiSb复合材料、或Ag纳米颗粒-GeSb 复合材料、或Au纳米颗粒-GeSb复合材料、或Pt纳米颗粒-GeSb复合材料、或Cu 纳米颗粒-GeSb复合材料、或Al纳米颗粒-GeSb复合材料。
2.根据权利要求1中所述的金属纳米颗粒复合材料,其特征在于:所述的金属 纳米颗粒的尺寸为5~50nm。
3.权利要求1中所述的金属纳米颗粒复合材料的制备方法,其特征在于:该方 法包括下列步骤:
①在所述的基片(1)上依次沉积所述的金属层(2)、相变材料层(3)和保护 层(4)构成多层结构薄膜;
②利用激光脉冲辐照所述的多层结构薄膜,形成金属纳米颗粒分散分布于所述 的相变材料中的复合材料(5)。
4.根据权利要求3所述的金属纳米颗粒复合材料的制备方法,其特征在于:所 述的复合材料(5)中,金属纳米颗粒的尺寸通过改变激光脉冲的参数来调节,相变 材料的光学常数通过在不同温度退火处理条件来调节,形成复合材料的区域通过移 动激光作用区域来调节。
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