[发明专利]功率金氧半导体场效晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种功率金氧半导体场效晶体管的制造方法，包括：

在具有一第一导电型的一基底上形成具有所述第一导电型的一磊晶层；

在所述磊晶层中形成具有一第二导电型的一主体层；

在所述基底上形成多数个罩幕图案；

在所述罩幕图案之间的所述主体层及部分所述磊晶层中形成多数个沟渠；

在所述沟渠的表面形成一第一氧化物层；

在所述沟渠中形成一第一导体层；

对所述罩幕图案进行一削减制程，以缩小各所述罩幕图案的线宽；

以经削减的所述罩幕图案为罩幕，在各所述沟渠的两侧的所述主体层中形成具有所述第一导电型的二源极区；

在所述第一导体层上及经削减的所述罩幕图案之间形成多数个介电图案；以及

移除经削减的所述罩幕图案。

2.根据权利要求1所述的功率金氧半导体场效晶体管的制造方法，在形成所述第一氧化物层的步骤之后以及形成所述第一导体层的步骤之前，还包括在所述沟渠的底部及所述罩幕图案的顶部形成一第二氧化物层。

3.根据权利要求2所述的功率金氧半导体场效晶体管的制造方法，其中所述第二氧化物层的材料包括介电常数低于4的氧化物。

4.根据权利要求2所述的功率金氧半导体场效晶体管的制造方法，其中形成所述第二氧化物层的步骤包括：

在所述基底上依序形成一罩幕层及一氧化物材料层；

以所述罩幕层为阻挡层，移除位于所述沟渠及所述罩幕图案的侧壁上的所述氧化物材料层；以及

移除未被所述第二氧化物层覆盖的所述罩幕层。

5.根据权利要求4所述的功率金氧半导体场效晶体管的制造方法，其中所述罩幕层的材料包括氮化硅。

6.根据权利要求1所述的功率金氧半导体场效晶体管的制造方法，其中在所述沟渠中形成所述第一导体层的步骤包括：

在所述基底上形成一导体材料层以填入所述沟渠中；以及

对所述导体材料层进行一全面蚀刻制程，以移除部分所述导体材料层。

7.根据权利要求6所述的功率金氧半导体场效晶体管的制造方法，其中所述全面蚀刻制程包括干蚀刻制程。

8.根据权利要求1所述的功率金氧半导体场效晶体管的制造方法，其中所述第一导体层的表面不高于所述主体层的表面。

9.根据权利要求1所述的功率金氧半导体场效晶体管的制造方法，在移除经削减的所述罩幕图案的步骤之后，还包括在所述基底上形成一第二导体层，且所述第二导体层与所述源极区电性连接。

10.根据权利要求9所述的功率金氧半导体场效晶体管的制造方法，其中所述第二导体层的材料包括铝。

11.根据权利要求9所述的功率金氧半导体场效晶体管的制造方法，在移除经削减的所述罩幕图案的步骤之后以及形成所述第二导体层的步骤之前，还包括以所述介电图案为罩幕，在所述主体层中形成具有所述第二导电型的多数个掺杂区，且所述第二导体层与所述掺杂区电性连接。

12.根据权利要求1所述的功率金氧半导体场效晶体管的制造方法，其中所述削减制程包括湿蚀刻制程。

13.根据权利要求1所述的功率金氧半导体场效晶体管的制造方法，其中形成所述介电图案的步骤包括：

在所述基底上形成一介电层以覆盖所述罩幕图案；以及

移除部分所述介电层，直到曝露出所述罩幕图案的表面。

14.根据权利要求13所述的功率金氧半导体场效晶体管的制造方法，其中移除部分所述介电层的步骤包括进行回蚀刻法或化学机械研磨制程。

15.根据权利要求1所述的功率金氧半导体场效晶体管的制造方法，其中所述罩幕图案的材料包括氮化硅。

16.根据权利要求1所述的功率金氧半导体场效晶体管的制造方法，其中各所述罩幕图案包括单一层或多层的堆迭结构。

17.根据权利要求1所述的功率金氧半导体场效晶体管的制造方法，其中所述第一导体层的材料包括掺杂多晶硅。

18.根据权利要求1所述的功率金氧半导体场效晶体管的制造方法，在形成所述磊晶层的步骤之后以及形成所述主体层的步骤之前，还包括在所述基底上形成垫氧化物层。