[发明专利]TFT-LCD阵列基板、多层图形尺寸检测方法和设备有效
| 申请号: | 200910244615.8 | 申请日: | 2009-12-31 |
| 公开(公告)号: | CN102116978A | 公开(公告)日: | 2011-07-06 |
| 发明(设计)人: | 郭建;周伟峰;明星 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/13 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | tft lcd 阵列 多层 图形 尺寸 检测 方法 设备 | ||
1.一种TFT-LCD阵列基板,包括:基板以及形成在所述基板上的多层阵列图形,其特征在于,在所述基板上未设置所述多层阵列图形的区域设置有用于分别检测所述多层阵列图形中各阵列图形的尺寸大小的检测标记,所述检测标记包括:与被检测图形同层设置且尺寸相同的检测图案,以及与所述检测图案非同层设置的检测衬底。
2.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板,其特征在于,所述检测衬底包括:位于所述检测衬底中心区域的透光的检测窗口,以及遮光的窗口边框。
3.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板,其特征在于,所述检测图案遮光,所述检测衬底反光。
4.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板,其特征在于,所述检测衬底与除被检测阵列图形以外的阵列图形同层设置。
5.一种在TFT-LCD阵列基板制备过程中检测阵列图形和光刻胶图形尺寸的方法,其特征在于,包括:
在基板上未设置所述多层图形的区域形成分别检测所述多层图形中各图形的尺寸大小的检测标记,所述检测标记包括:与被检测图形同层设置且尺寸相同的检测图案,以及与所述检测图案非同层设置的检测衬底;
采用直线光在所述基板下方照射所述检测标记;
接收透过所述检测标记的光线;
计算出所述光线的透射率,若所述光线的透射率与标准透射率不符,则判定所检测的图形不合格;若所述光线的透射率与标准透射率相符,则判定所检测的图形合格。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述检测衬底包括:位于所述检测衬底中心区域的透光的检测窗口,以及遮光的窗口边框。
7.一种在TFT-LCD阵列基板制备过程中检测阵列图形和光刻胶图形尺寸的方法,其特征在于,包括:
在基板上未设置所述多层图形的区域形成分别检测所述多层图形中各图形的尺寸大小的检测标记,所述检测标记包括:与被检测图形同层设置且尺寸相同的检测图案,以及与所述检测图案非同层设置的检测衬底;
采用直线光在所述基板上方照射所述检测标记;
接收经过所述检测标记反射回的光线;
计算出所述光线的反射率,若所述光线的反射率与标准反射率不符,则判定所检测的图形不合格;若所述光线的反射率与标准反射率相符,则判定所检测的图形合格。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述检测衬底包括:透光的检测窗口,以及不反射光线的窗口边框;所述检测图案反射光线。
9.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述检测衬底反射光线,所述检测图案不反射光线。
10.一种采用权利要求5-9任一权利要求所述方法的设备,其特征在于,包括:光发射器和光接收器,其中,在基板上未设置所述多层阵列图形的区域设置有用于分别检测所述多层图形中各图形的尺寸大小的检测标记,所述检测标记包括:与被检测图形同层设置且尺寸相同的检测图案,以及与所述检测图案非同层设置的检测衬底;所述光发射器用于向TFT-LCD阵列基板的检测标记发射光线,所述光接收器用于接收所述光发射器发射的,透过所述检测标记或经过所述检测标记反射回的光线。
11.根据权利要求10所述设备,其特征在于,还包括:与所述光接收器电性连接的数据处理模块。
12.根据权利要求10所述的设备,其特征在于,所述光发射器为激光发射器。
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