[发明专利]NAND结构及其形成方法

权利要求书

1.一种与非门NAND结构，其特征在于，包括：

衬底；

形成在所述衬底之上的栅绝缘层；

形成在所述衬底中的源区和漏区；

形成在所述栅绝缘层之上的中间栅极，和位于所述中间栅极两侧的第一栅极和第二栅极，所述第一栅极和第二栅极与所述中间栅极之间设有第一侧墙，所述第一栅极和第二栅极的外侧设有第二侧墙，其中，所述中间栅极之上设置有第一接触孔区，所述第一栅极和第二栅极之上分别设置有第二接触孔区，所述第一接触孔区和第二接触孔区交错排列。

2.如权利要求1所述的NAND结构，其特征在于，所述第一侧墙的厚度小于所述第二侧墙。

3.如权利要求2所述的NAND结构，其特征在于，所述第一侧墙的厚度为2-10nm。

4.如权利要求1所述的NAND结构，其特征在于，所述第一接触孔区通过第一金属或多晶硅与所述中间栅极相连，其中第一接触孔区之下的第一金属或多晶硅至少有一部分高于第一接触孔区外的第一金属或多晶硅。

5.如权利要求1所述的NAND结构，其特征在于，所述第二接触孔区通过第二金属或多晶硅与所述第一栅极和第二栅极相连，其中第二接触孔区之下的第二金属或多晶硅至少有一部分高于第二接触孔区外的第二金属或多晶硅。

6.如权利要求1所述的NAND结构，其特征在于，还包括：分别形成在所述源区和漏区之上的第三接触孔区，所述第三接触孔区通过第三金属与所述源区和漏区相连，其中第三接触孔区之下的第三金属至少有一部分高于第三接触孔区外的第三金属。

7.如权利要求6所述的NAND结构，其特征在于，在所述源区和漏区与第三金属之间还包括金属硅化物层。

8.如权利要求4-7任一项所述的NAND结构，其特征在于，所述第一金属或多晶硅、所述第二金属或多晶硅、或第三金属具有L形或T形接触。

9.如权利要求6所述的NAND结构，其特征在于，所述第三金属为W、A1或Cu。

10.如权利要求4或5所述的NAND结构，其特征在于，所述第一金属或第二金属为Ti、TiN、TiAlN或AL。

11.一种存储器，其特征在于，包括若干个如权利要求1-10任一项所述的NAND结构。

12.一种形成NAND结构的方法，其特征在于，包括以下步骤：

形成衬底；

在所述衬底之上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层之上形成中间栅极，和位于所述中间栅极两侧的第一栅极和第二栅极，所述第一栅极和第二栅极与所述中间栅极之间形成有第一侧墙，所述第一栅极和第二栅极的外侧形成有第二侧墙；

在所述衬底中形成源区和漏区；

形成在所述中间栅极之上的第一接触孔区，所述第一栅极和第二栅极之上的第二接触孔区，和形成在所述源区和漏区之上的第三接触孔区，其中，所述第一接触孔区和第二接触孔区交错排列。

13.如权利要求12所述的形成NAND结构的方法，其特征在于，所述形成第一栅极和第二栅极包括以下步骤：

在形成所述中间栅极两侧的第一侧墙之后，淀积第二栅金属或多晶硅；

对淀积的所述第二栅金属或多晶硅进行散射注入以平坦化在所述中间栅极上所述第二栅金属或多晶硅的顶部；

对所述第二栅金属或多晶硅进行各向异性刻蚀，形成所述第一栅极和第二栅极，并暴露所述中间栅极。

14.如权利要求12所述的形成NAND结构的方法，其特征在于，所述第一侧墙的厚度小于所述第二侧墙。

15.如权利要求14所述的形成NAND结构的方法，其特征在于，所述第一侧墙的厚度为2-10nm。

16.如权利要求12所述的形成NAND结构的方法，其特征在于，所述第一接触孔区通过第一金属或多晶硅与所述中间栅极相连，其中第一接触孔区之下的第一金属或多晶硅至少有一部分高于第一接触孔区外的第一金属或多晶硅。

17.如权利要求12所述的形成NAND结构的方法，其特征在于，所述第二接触孔区通过第二金属或多晶硅与所述第一栅极和第二栅极相连，其中第二接触孔区之下的第二金属或多晶硅至少有一部分高于第二接触孔区外的第二金属或多晶硅。