[发明专利]提高像素电极电压准确性的方法和阵列基板无效
| 申请号: | 200910235329.5 | 申请日: | 2009-09-30 |
| 公开(公告)号: | CN102034443A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
| 发明(设计)人: | 王洁琼 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | G09G3/36 | 分类号: | G09G3/36;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 提高 像素 电极 电压 准确性 方法 阵列 | ||
1.一种提高像素电极电压准确性的方法,其特征在于,包括:
为像素电极电压提供补偿电压,所述补偿电压能够抵消像素电极上发生变化的电压。
2.根据权利要求1所述的提高像素电极电压准确性的方法,其特征在于,为像素电极电压提供补偿电压具体为:
在栅线和像素电极之间连接补偿电容和反相装置,所述反相装置的输入端与所述栅线连接,输出端与所述补偿电容连接,所述补偿电容则连接在所述反相装置的输出端和像素电极之间;其中,
所述补偿电容用于产生电压;
所述反相装置用于使该电压反相以形成补偿电压,以使该补偿电压能够与像素电极上发生变化的电压相抵消。
3.根据权利要求2所述的提高像素电极电压准确性的方法,其特征在于,所述补偿电容的电容值、与和所述像素电极连接的薄膜晶体管从打开到关断状态下栅极和所述像素电极之间产生的寄生电容的电容值相当。
4.根据权利要求2或3所述的提高像素电极电压准确性的方法,其特征在于,所述反相装置为反相运放器,所述反相运放器的输入端与栅线连接,输出端与所述补偿电容连接;或者
所述反相装置为栅极驱动芯片,所述栅极驱动芯片的输入端与栅线连接,输出端与所述补偿电容连接。
5.一种阵列基板,包括基板,在所述基板上设有栅线,垂直于所述栅线设有数据线,所述栅线和所述数据线之间限定有像素区域,所述像素区域内设有薄膜晶体管和像素电极,所述薄膜晶体管的栅极和所述栅线连接,源极和所述数据线连接,漏极和所述像素电极连接,其特征在于,在所述基板上且在所述栅线的边缘设有像素电极电压补偿电路,所述像素电极电压补偿电路用于为像素电极电压提供补偿电压,所述补偿电压能够抵消像素电极上发生变化的电压。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述像素电极电压补偿电路包括补偿电容和反相装置,所述反相装置的输入端与所述栅线连接,输出端与所述补偿电容连接,所述补偿电容则连接在所述反相装置的输出端和所述像素电极之间。
7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述补偿电容的电容值、与所述薄膜晶体管从打开到关断状态下所述栅极和所述像素电极之间产生的寄生电容的电容值相当。
8.根据权利要求6或7所述的阵列基板,其特征在于,所述反相装置为反相运放器,所述反相运放器的输入端与所述栅线连接,输出端与所述补偿电容连接。
9.根据权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,所述反相运放器设在所述栅线和与所述栅线相对应的首个像素电极之间,且所述反相运放器连接有与所述栅线相平行的输出线,所述输出线分别和与所述栅线相对应的各个像素电极电性连接。
10.根据权利要求6或7所述的阵列基板,其特征在于,所述反相装置为栅极驱动芯片,所述栅极驱动芯片的输入端与所述栅线相连,输出端与所述补偿电容相连。
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