[发明专利]在平板玻璃上沉积多晶β-Ga2O3薄膜的方法

说明书

(一)技术领域：

本发明涉及一种在平板玻璃上沉积多晶β-Ga₂O₃薄膜的方法，属于电子材料技术领域

(二)背景技术：

β-Ga₂O₃是一种宽带隙且具有良好的化学和热稳定性的化合物，可广泛应用于高温氧气传感器、紫外探测器、磁性记忆和介电层、GaAs的消反射镀层、GaAs表面的钝化镀膜、深紫外光透明氧化物等方面。在薄膜电致发光平板显示领域中，氧基荧光材料因为它们的宽带隙和不易结晶的性质，曾并不被人们所看好。然而，随着一些关键技术的解决，β-Ga₂O₃作为一种新型的氧基电致发光荧光体基材料，已经受到越来越多的关注。

通过对现有文献的检索发现，制备多晶β-Ga₂O₃薄膜的方法有金属有机化学气相沉积(Metal organic chemical vapor depositian)法，参见Hyoun Woo Kim等人的“退火对金属有机化学气相沉积法制备的蓝宝石衬底Ga₂O₃薄膜的性能影响”，《应用表面科学》230(2004)301-306(Hyoun Woo Kim，Nam Ho Kim.Annealing effects on the properties of Ga₂O₃ thin films grown on sapphire by themetal organic chemical vapor deposition，Applied Surface Science 230(2004)301-306)；分子束外延(Molecular beam epitaxy)法，参见Takayoshi Oshima等人的“用分子束外延生长的同质外延β-Ga₂O₃薄膜的表面形貌”，《固体薄膜》516(2008)5768-5771(Takayoshi Oshima，Naoki Arai，Norihito Suzuki，et al.Surfacemorphology of homoepitaxial β-Ga₂O₃ thin films grown by molecular beam epitaxy，Thin Solid Films 516(2008)5768-5771)；脉冲激光沉积(Pulsed laser deposition)法，参见Masahiro Orita等人的“低温沉积高电导、深紫外透明β-Ga₂O₃薄膜”，《固体薄膜》411(2002)134-139(Masahiro Orita，Hidenori Hiramatsu，HiromichiOhta，et al.Preparation of highly conductive，deep ultraviolet transparent β-Ga₂O₃thin film at low deposition temperatures，Thin Solid Films 411(2002)134-139)；射频磁控溅射法，参见肖洪地等人的“采用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上生长β-Ga₂O₃薄膜”，《功能材料》37(2006年增刊)1-3。