[发明专利]在平板玻璃上沉积多晶β-Ga2O3薄膜的方法

权利要求书

1.在平板玻璃上沉积多晶β-Ga₂O₃薄膜的方法，步骤如下：

(1)将纯度为99.99WT％的Ga₂O₃粉末在55～65MPa的压强下压制成Φ60mm-4mm的胚体，送入高温烧结炉，在空气中1300～1400℃下烧结720～900分钟，烧制成Ga₂O₃靶材。

(2)将步骤(1)的靶材和清洗过的基片送入射频磁控溅射仪，溅射制备Ga₂O₃薄膜。溅射室基础真空6×10^-4Pa，溅射气体为氩气，溅射气体氩气压强0.2～2Pa，溅射偏压-40～-100V，溅射功率40～150W，溅射时间20～90分钟，膜厚100～440nm。

(3)将步骤(2)中沉积的Ga₂O₃薄膜移入退火炉中在空气中进行退火处理，退火温度为400～550℃，退火时间为50～80分钟，即形成具有多晶结构的β-Ga₂O₃薄膜。

2.如权利要求1所述的在平板玻璃上沉积多晶β-Ga₂O₃薄膜的方法，其特征在于，所述步骤(1)中制备靶材时，Ga₂O₃粉末压制成型时间20～30分钟。

3.如权利要求1所述的在平板玻璃上沉积多晶β-Ga₂O₃薄膜的方法，其特征在于，所述步骤(2)中基片是载玻片，对基片用超声波化学清洗。

4.如权利要求1所述的在平板玻璃上沉积多晶β-Ga₂O₃薄膜的方法，其特征是基片温度为室温。

5.如权利要求1所述的在平板玻璃上沉积多晶β-Ga₂O₃薄膜的方法，其特征在于，所述步骤(2)中氩气的纯度为99.99％。