[发明专利]微型光遮断器及其制作方法无效
| 申请号: | 200910225352.6 | 申请日: | 2009-11-16 |
| 公开(公告)号: | CN102064230A | 公开(公告)日: | 2011-05-18 |
| 发明(设计)人: | 杨家逢;廖志伟;梁俊智 | 申请(专利权)人: | 亿光电子工业股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/12;H01L31/0232 |
| 代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫 |
| 地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 微型 遮断 及其 制作方法 | ||
技术领域
本发明是有关于一种微型光遮断器(photo-interrupter)的制作方法,尤指一种具有高信噪比(signal/noise ration)的微型光遮断器的制作方法。
背景技术
一般微型光遮断器包含发光组件与感光组件,其可通过判断感光组件是否侦测到光线讯号来输出感应讯号,进而可当作开关装置使用。
已知微型光遮断器的制作方法包括在基板表面同时设置发光组件与感光组件,然后进行第一压模(molding)步骤而在发光组件与感光组件表面灌注透明胶而分别形成二个透明封胶体,再以第二压模步骤在透明封胶体的外围形成不透光封胶体,使得发光组件与感光组件之间因不透光封胶体的设置而阻隔两者间的光线路径,最后进行微型光遮断器的单元切割步骤,切除多余的不透光封胶体与基板,以完成微型光遮断器单元的制作。
然而,在上述制作方法中,由于设置发光组件的基板厚度很薄,透明胶很容易在第一压模步骤中溢流至发光组件与感光组件之间,使得发光组件的光线会经由透明胶的溢胶部分射入感光组件端。另一方面,基板也可能无法有效阻挡光线,使得发光组件的部分光线经由发光组件下方的基板、发光组件与感光组件之间的基板以及感光组件下方的基板等漏光路径而到达感光组件端,使得感光组件的侦测结果发生错误,即使在无反射物的情况下,微型光遮断器也会输入过大的感应电流(亦即漏电流),明显影响微型光遮断器输出讯号的信噪比。此外,在已知微型光遮断器的制作方法中,需要另外利用切割步骤来切除以第二压模步骤制作的多余不透光封胶体,容易在切割步骤中产生尺寸公差,使得不透光封胶体的厚度具有过厚或过薄的误差,影响产品良率。
因此,如何提供简单、有效率的步骤以制作出避免漏电流过大的微型光遮断器,仍为业界亟需研究的问题。
发明内容
本发明的主要目的之一,在于提供一种制作微型光遮断器的方法,其能有效改善传统步骤中因溢胶或基板无法遮光所形成的漏光路径,以解决前述传统微型光遮断器的漏电流过大的问题。
根据本发明的申请专利范围,本发明揭露一种制作微型光遮断器的方法。首先提供基板,其具有一定基板厚度,且该基板表面定义有一个发光组件设置区、一个感光组件设置区以及一个光阻隔区,设于该发光组件设置区与该感光组件设置区之间。然后于基板上的发光组件设置区与感光组件设置区分别设置一个发光组件与一个感光组件,再进行一个压模步骤,在发光组件设置区与感光组件设置区分别形成一个透明封胶体,分别覆盖发光组件与感光组件。之后,移除光阻隔区内的基板的部分表面,以于基板表面形成一个阻隔凹陷(recess)。最后进行一个射出成型步骤,在该光阻隔区内以及在该感光组件设置区与该发光组件设置区的外围形成一个不透光密封体。
本发明另外还揭露一种制作微型光遮断器的方法,其包括先提供一个基板,其具有一定基板厚度,且该基板表面定义有一个遮断器单元区域,其包含一个发光组件设置区、一个感光组件设置区以及一个光阻隔区设于该发光组件设置区与该感光组件设置区之间。接着于该基板上的该发光组件设置区与该感光组件设置区分别设置一个发光组件与一个感光组件,然后移除该光阻隔区内的该基板的部分表面,以于基板表面形成一个阻隔凹陷,再进行一个压模步骤,于发光组件设置区与感光组件设置区分别形成一个透明封胶体,分别覆盖发光组件与感光组件。最后进行一个射出成型步骤,于光阻隔区内以及感光组件设置区与发光组件设置区的外围形成一个不透光密封体。
本发明专利申请又另揭露一种制作微型光遮断器的方法。首先提供一个基板,其具有一定基板厚度,且该基板表面定义有至少一个遮断器单元区域,其包含一个发光组件设置区以及一个感光组件设置区。接着,移除该发光组件设置区与该感光组件设置区之间的部分该基板,再于基板上的发光组件设置区与感光组件设置区分别设置一个发光组件与一个感光组件。然后,进行压模步骤,而于该发光组件设置区与该感光组件设置区分别形成一个透明封胶体,分别覆盖该发光组件与该感光组件。最后在该感光组件设置区与该发光组件设置区之外的该遮断器单元区域内形成一个不透光密封体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





