[发明专利]基板抛光方法及处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种基板处理设备，尤其涉及一种具有抛光单元的基板处理设备，该抛光单元用于抛光基板如半导体晶片的外围部分。本发明还涉及一种基板处理方法，尤其涉及一种抛光基板如半导体晶片的外围部分的基板抛光方法。

背景技术

近些年，根据半导体器件更精细的结构和更高的集成度，处理颗粒变得越来越重要。在处理颗粒中的一个主要问题是，在半导体器件制造工艺中，由基板如半导体晶片外围部分(斜边部分和边缘部分)处产生的表面粗糙度导致的灰尘。

图1A和1B是示出晶片W外围部分实施例的放大截面图。图1A示出了具有通过多条直线形成的截面的直型晶片W的外围部分。图1B示出了具有由曲线形成的截面的圆形晶片W的外围部分。在图1A中，晶片W的斜边部分B包括上部斜边部分P和下部斜边部分Q，其分别关于晶片W的外周部分的上下表面倾斜，并包括晶片W的外周部分的侧表面R。在图1B中，晶片W的斜边部分B包括在晶片W外周部分截面中的具有曲率的部分。在图1A和1B中，晶片W的边缘部分包括位于斜边部分B的内部边界和晶片W的上表面D之间的区域E，该晶片W上表面上形成半导体器件。在以下描述中，晶片的外围部分包括前述的斜边部分B和边缘部分E。

而且，在以下描述中，凹口意思是在硅晶片等的外周部分中形成的V形切口(V形凹口)或者线形切口(定向平面)，用于表示晶片的取向。凹口提供于晶片的外围部分处。具体地讲，凹口以凹进的形式形成于晶片的外围部分处。

之前已经公知用于抛光晶片外围部分的抛光装置(外围部分抛光装置)。这种抛光装置已经用于在半导体器件形成工艺之前定形晶片的外周部分。目前，这种抛光装置已经用于在半导体器件形成工艺中去除作为污染源附着到晶片外围部分上的膜，或者用于去除在晶片外围部分处产生的表面粗糙度，例如用于分离在于晶片中形成深沟槽之后形成的针状突起。当事先去除附着到晶片外围部分处的物体时，可以防止由保持和传送晶片的传送机构导致的晶片污染物。而且，当事先从晶片外围部分去除表面粗糙度时，可以防止通过分离在晶片外围部分上形成的物体产生的灰尘。

而且，实际上已经使用一种基板处理设备，其具有处理单元，包处理单元包括用于抛光晶片外围部分的抛光装置(抛光单元)、用于清洗晶片的清洗单元和用于干燥晶片的干燥单元。该基板处理设备可用于在晶片上进行一系列处理，包括抛光晶片外围部分。根据这种基板处理设备，可以进行一系列的处理，包括抛光晶片外围部分和清洗以及干燥抛光的晶片，所有处理都一次性地在单个的基板处理设备中。由此，这种基板处理设备效率优良。

同时，提供在基板处理设备中的抛光单元包括用于抛光晶片斜边部分的斜边抛光装置或用于抛光晶片凹口的凹口抛光装置。斜边抛光装置或者凹口抛光装置设置于抛光单元中，以包围被抛光的晶片。为了改善这种基板处理设备中的抛光处理的效率，必须适当地设置抛光单元。例如，将具有上述结构的多个抛光单元供应到基板处理设备中。

而且，在具有多个抛光单元的常规基板处理设备的情况下，考虑到传送机构传送晶片至各自的抛光单元或从各自的抛光单元传送所需的空间以及抛光单元所需的空间，确定抛光单元的配置。由此，没有考虑到当操作者更换抛光带或抛光垫时，操作者对抛光单元中的斜边抛光装置或凹口抛光装置的可接近性。因此，操作者工作效率必然低。为了解决这种缺点，希望设置基板处理设备以使操作者能高效地进行消耗性部件的更换以及相应部件的维护，这种消耗性部件例如是抛光单元中的抛光带和抛光垫；

而且，如果抛光液如浆料或研磨颗粒在有抛光单元抛光时分散开，则抛光液或研磨颗粒会污染抛光单元或抛光晶片的相应部分，从而进一步导致抛光晶片将传送至其的其它区域的污染。这种情况下，必须频繁地清洗基板处理设备中的单元如抛光单元和传送单元。由此，维护操作对操作者成为重负。此外，操作者必须有到抛光单元或其它单元的入口以进行清洗。因此，降低了操作效率。为了降低维护操作的负载，希望在抛光的同时防止抛光单元各部分和晶片的污染。

发明内容

考虑到上述缺点制作了本发明。因此，本发明的第一个目的是提供一种基板处理设备，其对于抛光基板具有改进的效率，允许在短的时间段内有效地进行维护操作，并能够降低维护操作的负担。

本发明的第二个目的是提供一种基板抛光方法，其能够改善抛光基板的工艺效率，允许在短的时间段内有效地进行维护操作，并能够降低维护操作的负担。

本发明的第三个目的是提供一种基板处理方法，其改进了抛光基板的工艺效率，允许在短的时间段内有效地进行维护操作，并能够降低维护操作的负担。