[发明专利]像素阵列有效
| 申请号: | 200910224497.4 | 申请日: | 2009-11-18 |
| 公开(公告)号: | CN101710477A | 公开(公告)日: | 2010-05-19 |
| 发明(设计)人: | 柳智忠 | 申请(专利权)人: | 深超光电(深圳)有限公司 |
| 主分类号: | G09G3/20 | 分类号: | G09G3/20;G09G3/36;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 何青瓦;丁建春 |
| 地址: | 518100 广东省深圳市宝安*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 像素 阵列 | ||
1.一种像素阵列,其特征在于,该像素阵列包括:
多条扫描线,沿着列方向曲折延伸;
多条数据线,沿着行方向延伸并与该多条扫描线相交;
多个像素,与该多条扫描线以及该多条数据线连接,排列于第n列中 的各该像素包括:
一第一子像素,包括一第一晶体管与一第一像素电极,其中该第一晶 体管的一第一栅极与第(n+1)条扫描线连接,而该第一晶体管的一第一漏 极与该第一像素电极连接;以及
一第二子像素,包括一第二晶体管与一第二像素电极,其中该第二晶 体管的一第二栅极与第n条扫描线连接,该第二晶体管的一第二漏极与该 第二像素电极连接,该第一晶体管的一第一源极以及该第二晶体管的一第 二源极连接至该多条数据线中的同一条数据线,并将与同一条数据线连接 的该第一子像素与该第二子像素配置于该条数据线的两侧。
2.根据权利要求1所述的像素阵列,其中该第一晶体管与该第二晶体 管的布局型态是以对应的扫描线为基准向上凸出的型态。
3.根据权利要求1所述的像素阵列,其中该第一晶体管与该第二晶体 管的布局型态是以对应的扫描线为基准向下凸出的型态。
4.根据权利要求1所述的像素阵列,其中在排列于同一列的像素中, 该多个第一晶体管与该多个第二晶体管位于该列像素的同一侧。
5.根据权利要求1所述的像素阵列,其中每一第一像素电极或每一第 二像素电极的三个侧边被对应的上一条扫描线围绕。
6.根据权利要求5所述的像素阵列,其中每一扫描线在像素阵列上呈 一方波形。
7.根据权利要求1所述的像素阵列,其中各该扫描线包括:
多个第一导线,沿着该列方向延伸;以及
多个第二导线,沿着该行方向延伸,
其中,该多个第一导线与该多个第二导线交替地连接。
8.根据权利要求7所述的像素阵列,其中部分该多个第二导线被该第 一像素电极或该第二像素电极其中之一覆盖。
9.根据权利要求7所述的像素阵列,其中该多个第二导线位于同一像 素中的该第一子像素与该第二子像素之间以及相邻两像素之间。
10.根据权利要求7所述的像素阵列,其中各该第一导线的长度大于 等于其中一个像素电极的宽度,而各该第二导线的长度大于等于其中一个 像素电极的长度。
11.根据权利要求7所述的像素阵列,其中各该扫描线还包括:
多个第一分支,连接部分该多个第一导线且沿着该行方向延伸;以及
多个第二分支,连接部分该多个第一导线且沿着该行方向延伸,
其中,该多个第一分支与该多个第二分支平行于该多个第二导线。
12.根据权利要求11所述的像素阵列,其中位于同一像素中的部分该 第一分支与部分该第二分支被该第二像素电极覆盖。
13.根据权利要求1所述的像素阵列,其中在排列于同一列的像素中, 位于偶数行的部分像素与其中一条扫描线连接,而位于奇数行的部分像素 与另一条扫描线连接。
14.根据权利要求1所述的像素阵列,其中在排列于第n列的各该像 素中,该第一晶体管与该第二晶体管分别具有一第一通道层以及一第二通 道层,该第一通道层位于第(n+1)条扫描线上方,该第二通道层位于第n 条扫描线上方,该第一漏极自该第一通道层沿着一第一方向与该第一像素 电极连接,该第二漏极自该第二通道层沿着一第二方向与该第二像素电极 连接,且该第一方向与该第二方向相同。
15.根据权利要求1所述的像素阵列,其中在排列于同一列的像素中, 该多个第一与第二子像素的中心点的连线趋近于同一条直线。
16.根据权利要求1所述的像素阵列,其中在各该像素中,该第一晶 体管的形状与该第二晶体管的形状为以该数据线为基准呈镜像且稍微错 位的形式。
17.根据权利要求1所述的像素阵列,其中该第一子像素还包括一第 一电容电极,电性连接该第一像素电极,且该第一电容电极与该数据线属 同一膜层并与上一条扫描线部分重叠,以构成一第一储存电容,而该第二 子像素还包括一第二电容电极,电性连接该第二像素电极,且该第二电容 电极与该数据线属同一膜层并与上一条扫描线部分重叠,以构成一第二储 存电容。
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