[发明专利]一种电可擦除可编程只读存储器的实现方法和装置有效

专利信息
申请号: 200910223388.0 申请日: 2009-11-18
公开(公告)号: CN102063939A 公开(公告)日: 2011-05-18
发明(设计)人: 李向龙 申请(专利权)人: 中兴通讯股份有限公司
主分类号: G11C16/06 分类号: G11C16/06
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 解婷婷;龙洪
地址: 518057 广东省深圳市南山*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 擦除 可编程 只读存储器 实现 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)的实现装置,包括依次连接的可替代EEPROM的存储器、控制模块、缓存模块以及EEPROM接口协议模块,其中:

所述可替代EEPROM的存储器,至少具有EEPROM的非易失性及电可擦除特性,用于替代EEPROM存储数据;

所述控制模块,用于通过运行在线软件将以往要写入EEPROM中的数据自动写入所述可替代EEPROM的存储器中,然后从该可替代EEPROM的存储器中读取该数据写入到所述缓存模块中;

所述缓存模块,用于缓存所述以往要写入到EEPROM中的数据;

所述EEPROM接口协议模块,用于通过EEPROM接口协议与要访问所述EEPROM的设备通讯,根据该设备给出的读地址从所述缓存模块中读取相应的数据发送给该设备。

2.按照权利要求1所述的装置,其特征在于,

所述EEPROM接口协议模块根据要访问所述EEPROM的设备给出的写指示接收所述读地址,并将该读地址映射为所述缓存模块的读地址;根据该设备给出的读指示和映射的所述缓存模块的读地址,将从所述缓存模块相应的缓存单元中读取的数据发送给该设备。

3.按照权利要求1或2所述的装置,其特征在于,

所述可替代EEPROM的存储器通过闪速存储器(FLASH)、磁阻式随机存储器(MRAM)或非易失性铁电存储器(FRAM)中的任意一种存储器实现;

所述控制模块通过微处理单元(MPU)、微控制单元(MCU)、专用控制器、现场可编程门阵列(FPGA)形成的控制单元以及数字信号处理器(DSP)中的任意一种实现;

所述缓存模块通过随机存取存储器(RAM)实现;

所述EEPROM接口协议模块,根据EEPROM接口协议通过IC间总线(I2C)模块、串行外设接口(SPI)模块以及Microwire接口模块中的任意一种实现,或者通过并行接口模块实现;

并且,所述可替代EEPROM的存储器、所述控制模块、所述缓存模块以及所述EEPROM接口协议模块中的一个或多个通过电子装置中现有器件实现。

4.按照权利要求3所述的装置,其特征在于,

所述缓存模块通过双口RAM实现,所述控制模块的数据总线输出端、地址总线输出端、时钟输出端以及写使能输出端分别连接所述双口RAM的第一接口的数据总线输入端、写地址输入端、时钟输入端和写使能输入端;

所述EEPROM接口协议模块通过I2C模块实现,所述双口RAM的第二接口的数据总线输出端、读地址输入端、读使能输入端、时钟输入端分别连接所述I2C模块的数据总线输入端、读地址输出端、读使能输出端和所述控制模块的时钟输出端;所述I2C模块的串行数据信号线和时钟信号线分别连接到外部I2C总线的串行数据信号线和时钟信号线。

5.按照权利要求4所述的装置,其特征在于,所述双口RAM和所述I2C模块均由所述FPGA形成;

所述控制模块在所述FPGA正常工作后,从所述FLASH中取出相应的数据,在所述写使能输出端输出的写使能有效信号、所述地址总线输出端输出的写地址信号和所述时钟输出端输出的时钟信号的作用下,将从所述可替代EEPROM的存储器读取的所述数据通过所述数据总线输出端写入到所述双口RAM的所述第一接口;

所述I2C模块时钟信号线的时钟信号从所述串行数据信号线接收写指示接收读地址,并将该读地址映射为所述双口RAM的第二接口读地址;根据从所述串行数据信号线接收的读指示和所述双口RAM的第二接口读地址,将从所述双口RAM相应的单元中读取的数据通过所述串行数据线发送。

6.一种电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)的实现方法,涉及控制模块和EEPROM接口协议模块,该方法包括:

所述控制模块通过运行在线软件将以往要写入EEPROM的数据自动写入可替代EEPROM的存储器中,然后从该可替代EEPROM的存储器中读取该写入的数据写入到缓存中;

EEPROM接口协议模块根据要访问所述EEPROM的设备给出的读地址,从所述缓存中读取相应的数据发送给该设备。

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