[发明专利]扩散板结构及其制作方法有效
| 申请号: | 200910222774.8 | 申请日: | 2009-11-13 |
| 公开(公告)号: | CN102064082A | 公开(公告)日: | 2011-05-18 |
| 发明(设计)人: | 朴炳俊;苏金种;刘芳钰 | 申请(专利权)人: | 世界中心科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;C23C16/513 |
| 代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 翟羽 |
| 地址: | 中国台湾台中县梧*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 扩散 板结 及其 制作方法 | ||
1.一种扩散板结构,包括:
一基材;
多个孔洞,纵向形成于所述基材内,各孔洞分别包括:
一进气部;
一出气部;以及
一连接部,用以连接所述进气部与所述出气部,其特征在于,所述扩散板结构还包括一黏合层形成于各出气部的侧壁上,所述黏合层的厚度为1微米至11微米。
2.根据权利要求1所述的扩散板结构,其特征在于,所述基材的材料为金属。
3.根据权利要求2所述的扩散板结构,其特征在于,所述金属为铝。
4.根据权利要求1所述的扩散板结构,其特征在于,所述进气部呈圆锥形,且圆锥形两端较窄处连接至所述连接部。
5.根据权利要求1所述的扩散板结构,其特征在于,所述出气部呈圆锥形,且圆锥形两端较窄处连接至所述连接部。
6.根据权利要求1所述的扩散板结构,其特征在于,所述黏合层的厚度为1微米至3微米。
7.根据权利要求1所述的扩散板结构,其特征在于,所述黏合层为一氧化层。
8.根据权利要求1所述的扩散板结构,其特征在于,所述黏合层进一步形成于各连接部的侧壁上。
9.根据权利要求8所述的扩散板结构,其特征在于,所述黏合层进一步形成于各进气部的侧壁上。
10.根据权利要求1所述的扩散板结构,其特征在于,所述连接部的直径小于所述进气部的直径以及所述出气部的直径。
11.一种扩散板结构的制作方法,所述扩散板结构包括一基材以及多个纵向形成于所述基材内的孔洞,各孔洞分别包括一进气部、一出气部以及一用以连接所述进气部与所述出气部的连接部,其特征在于,所述制作方法包括:利用一酸性化学溶液清洁所述扩散板结构;以及
在各出气部的侧壁上形成一黏合层,所述黏合层的厚度为1微米至11微米。
12.根据权利要求11所述的制作方法,其特征在于,在各出气部的侧壁上形成所述黏合层的步骤之前,进一步包括以加压水柱清洁所述扩散板结构的步骤。
13.根据权利要求11所述的制作方法,其特征在于,所述酸性化学溶液为硝酸。
14.根据权利要求11所述的制作方法,其特征在于,利用一硫酸溶液对各出气部进行阳极电镀,以在各出气部的侧壁上形成所述黏合层。
15.根据权利要求14所述的制作方法,其特征在于,所述硫酸溶液浓度为15%至25%重量百分比。
16.根据权利要求14所述的制作方法,其特征在于,所述硫酸溶液的温度为-5℃至20℃。
17.根据权利要求11所述的制作方法,其特征在于,所述黏合层的厚度为1微米至3微米。
18.根据权利要求11所述的制作方法,其特征在于,所述基材的材料为金属。
19.根据权利要求18所述的制作方法,其特征在于,所述金属为铝。
20.根据权利要求11所述的制作方法,其特征在于,所述黏合层为一氧化层。
21.根据权利要求11所述的制作方法,其特征在于,在于所述出气部的侧壁上形成所述黏合层的步骤中,进一步包括于各连接部的侧壁上形成所述黏合层的步骤。
22.根据权利要求11所述的制作方法,其特征在于,在于所述出气部的侧壁上形成所述黏合层的步骤中,进一步包括于各进气部的侧壁上形成所述黏合层的步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





