[发明专利]一种与电源无关的电流参考源

说明书

技术领域

本发明属于芯片设计领域，尤其在设计电流参考源时，可用以灵活调节各个 相关参数值的一种新型与电源无关的电流参考源。

背景技术

目前的电压无关电流源电路常采用的电路技术都是Behzad Razavi所著的《模 拟cmos集成电路设计》中第11章图11.3表示的电路(如图1所示)，以及相关 的电流公式为：Iout=2μnCox(W/L)N*21Rs2*(1-1K)2.]]>

以上电路结构推导出的电流表达式说明：为了获得很小的偏置电流，则需要 把NMOS的宽长比增大，或者把电阻增大。增大NMOS的宽长比则意味着M1、 M2的面积都得大大增加，或者大大增加电阻阻值，都意味着芯片面积的增加，这 样就相应地意味着芯片产量的减小和成本的增加。

发明内容

本发明的目的在于提供了一种新型与电源无关的电流参考源，可以在获得很 小偏置电流的情况下，让NMOS的面积不会改变，让电阻的面积也不会增加很多。

本发明的技术实施方案如下：

一种与电源无关的电流参考源，其特征在于：用于产生一种与电源无关的电 流参考源，其电路结构为：

至少包括一个电阻Rs和四个场效应管M1、M2、M3、M4形成的镜像电路， 所述M1、M2为NMOS管，M3、M4为PMOS管；所述M3镜像的电流到M4， M3、M4的源极连接电源，M3、M4的漏极分别与M2、M1的漏极连接，M1的 漏极、栅极与M2的栅极相连接，形成镜像的结构；

M1的源极接地，M2的源极连接电阻Rs，Rs另一端连接地；

所述镜像电路外还设置有一条镜像的电流支路，至少一个场效应管M5组成， 由M3将电流镜像到M5，M5为PMOS管；M5的源极连接电源，M5的栅极与 M3、M4的栅极连接，M5的漏极连接到M2的源极，这样，多了一个支路的电流 流入电阻RS。