[发明专利]基片处理装置及为此使用的覆盖构件

权利要求书

1.一种基片处理装置，包括：

处理室，其形成用于基片处理的处理空间；

基片支撑板，其具有下部电极，并构造成在其上直接或者通过托盘装配一个或者更多个基片；

覆盖构件，其具有沿向上和向下方向贯通地形成的多个开口，并构造成覆盖所述基片；以及

一个或者更多个向下变形阻止构件，其安装在所述覆盖构件和所述基片支撑板之间，用于维持所述覆盖构件的底面与所述基片支撑板之间的距离。

2.如权利要求1所述的基片处理装置，其中，所述覆盖构件包括：

覆盖部分，其具有多个开口；以及

至少一个支撑部分，其形成于所述覆盖部分的边缘，从而使所述覆盖部分与装配在所述托盘或者所述基片支撑板上的所述基片以预定距离间隔开，

其中，所述向下变形阻止构件包括一个或者更多个墙体，所述墙体将所述覆盖部分与所述基片之间的空间分隔成多个部分。

3.如权利要求2所述的基片处理装置，其中，所述墙体从所述覆盖部分的底面伸出，以将所述覆盖部分与所述基片之间的空间分隔成多个部分。

4.如权利要求1所述的基片处理装置，其中，所述覆盖构件包括：

覆盖部分，其具有多个开口；以及

至少一个支撑部分，其形成在所述覆盖部分的边缘，从而使所述覆盖部分与装配在所述托盘或者所述基片支撑板上的所述基片以预定距离间隔开，

其中，所述向下变形阻止构件实现为安装在所述覆盖构件与所述基片支撑板之间的一个或者更多个所述向下变形阻止支柱。

5.如权利要求4所述的基片处理装置，其中，多个所述向下变形阻止支柱安装在基于所述覆盖部分的阵点处。

6.如权利要求4所述的基片处理装置，其中，所述向下变形阻止支柱安装在所述覆盖部分的中心部分。

7.如权利要求4所述的基片处理装置，其中，所述向下变形阻止支柱具有大于所述覆盖部分的底面在因自重而向下变形前到所述托盘的上表面或基片支撑板的上表面之间的距离的长度。

8.如权利要求4所述的基片处理装置，其中，所述向下变形阻止支柱具有等于所述覆盖部分的底面在因自重而向下变形前到所述托盘的上表面或基片支撑板的上表面之间的距离的长度。

9.如权利要求4所述的基片处理装置，其中，所述向下变形阻止支柱具有小于所述覆盖部分的底表面在因自重而向下变形前到托盘的上表面或所述基片支撑板上表面之间的距离的长度。

10.如权利要求4所述的基片处理装置，其中，所述向下变形阻止支柱具有对于因自重或者热变形而向下变形的所述覆盖部分的终止处而言足够长、但不穿过所述支撑部分的底面的长度。

11.如权利要求4所述的基片处理装置，其中，所述向下变形阻止支柱具有从所述覆盖部分的底面起算小于从所述覆盖部分的底面到所述支撑部分的底面之间的距离的长度。

12.如权利要求4所述的基片处理装置，其中，所述向下变形阻止支柱具有一长度使得在所述覆盖构件向下变形时，所述支撑部分首先接触所述覆盖构件的底面，或者托盘的上表面或者基片支撑板的上表面。

13.如权利要求4所述的基片处理装置，其中，所述向下变形阻止支柱形成为使得沿垂直方向的截面表面的端部具有锥形或者曲线的形状。

14.如权利要求4至13中的任一项所述的基片处理装置，其中，用于衰减因所述向下变形阻止支柱而引起的冲击的冲击衰减构件安装在所述托盘或者所述基片支撑板的上表面上。

15.如权利要求14所述的基片处理装置，其中，所述冲击衰减构件布置或者安置在所述托盘或所述基片支撑板的上表面上对应于所述向下变形阻止支柱的位置处，或者附着于此，或者配合连接到形成于所述托盘的通孔或者凹-凸部。

16.如权利要求4至13中的任一项所述的基片处理装置，其中，由与所述基片相同的材料制成的伪元件进一步沿基于所述向下变形阻止支柱的水平和垂直方向中的一个方向安装在所述托盘或者所述基片支撑板处。

17.如权利要求16所述的基片处理装置，其中，所述基片和伪元件由单晶硅或者多晶硅制成，且

所述伪元件安装在凹陷地形成于所述托盘或基片支撑板的上表面上的槽部。