[发明专利]电容器结构有效

专利信息
申请号: 200910205684.8 申请日: 2009-10-16
公开(公告)号: CN101752363A 公开(公告)日: 2010-06-23
发明(设计)人: 柳惟信 申请(专利权)人: 美格纳半导体有限会社
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L29/92;H01L23/528;H01L29/41
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 顾晋伟;王春伟
地址: 韩国忠清*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 电容器 结构
【权利要求书】:

1.一种电容器结构,包括:

设置为包括多个开口的第一电极;

在每个所述开口的中心形成的第二电极;和

形成为包围所述第二电极并填充所述第一电极的开口的介电层。

2.根据权利要求1所述的电容器结构,其中所述第二电极与所述第一电 极间隔开0.1μm~1μm的距离。

3.根据权利要求1所述的电容器结构,其中第一电极的所述开口为多边 形。

4.根据权利要求1所述的电容器结构,其中第一电极的所述开口为圆形、 半圆形或者椭圆形。

5.一种电容器结构,包括:

设置为包括多个第一层的第一电极,每个第一层具有至少一个开口并 通过多个第一通路彼此垂直连接;

设置为包括对应于所述第一层的多个第二层的多个第二电极,每个第 二层通过多个第二通路彼此垂直连接并形成于所述第一电极的开口中;和

在所述第一电极和所述第二电极之间形成为包围所述第二电极并填充 所述第一电极的开口的介电层,

其中所述第一电极的所述第一层形成为内部包括多个柱状物以形成格 条型的板型结构。

6.根据权利要求5所述的电容器结构,其中所述第一通路设置于相应的 所述第一层之间以具有和所述第一层基本相同的形状,所述第二通路设置 于相应的所述第二层之间以具有和所述第二层基本相同的形状。

7.根据权利要求5所述的电容器结构,其中所述第二电极包括棒型结构。

8.根据权利要求5所述的电容器结构,其中所述第二电极的所述第二层 通过另外的金属互连彼此连接。

9.根据权利要求5所述的电容器结构,其中所述第二电极与所述第一电极 间隔开0.1μm~1μm的距离。

10.根据权利要求5所述的电容器结构,其中所述第二电极设置于所述第 一电极的每个开口处。

11.根据权利要求5所述的电容器结构,其中所述第一电极的所述开口为 多边形。

12.根据权利要求5所述的电容器结构,其中所述第一电极的所述开口为 圆形、半圆形或者椭圆形。

13.根据权利要求5所述的电容器结构,其中所述第一通路的宽度基本等 于或者窄于所述第一电极的宽度。

14.根据权利要求5所述的电容器结构,其中所述第二通路的宽度基本等 于或者窄于所述第二电极的宽度。

15.根据权利要求5所述的电容器结构,其中所述第一电极的所述开口沿 垂直方向对准。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美格纳半导体有限会社,未经美格纳半导体有限会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910205684.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top