[发明专利]电容器结构有效
| 申请号: | 200910205684.8 | 申请日: | 2009-10-16 |
| 公开(公告)号: | CN101752363A | 公开(公告)日: | 2010-06-23 |
| 发明(设计)人: | 柳惟信 | 申请(专利权)人: | 美格纳半导体有限会社 |
| 主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L29/92;H01L23/528;H01L29/41 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 顾晋伟;王春伟 |
| 地址: | 韩国忠清*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电容器 结构 | ||
1.一种电容器结构,包括:
设置为包括多个开口的第一电极;
在每个所述开口的中心形成的第二电极;和
形成为包围所述第二电极并填充所述第一电极的开口的介电层。
2.根据权利要求1所述的电容器结构,其中所述第二电极与所述第一电 极间隔开0.1μm~1μm的距离。
3.根据权利要求1所述的电容器结构,其中第一电极的所述开口为多边 形。
4.根据权利要求1所述的电容器结构,其中第一电极的所述开口为圆形、 半圆形或者椭圆形。
5.一种电容器结构,包括:
设置为包括多个第一层的第一电极,每个第一层具有至少一个开口并 通过多个第一通路彼此垂直连接;
设置为包括对应于所述第一层的多个第二层的多个第二电极,每个第 二层通过多个第二通路彼此垂直连接并形成于所述第一电极的开口中;和
在所述第一电极和所述第二电极之间形成为包围所述第二电极并填充 所述第一电极的开口的介电层,
其中所述第一电极的所述第一层形成为内部包括多个柱状物以形成格 条型的板型结构。
6.根据权利要求5所述的电容器结构,其中所述第一通路设置于相应的 所述第一层之间以具有和所述第一层基本相同的形状,所述第二通路设置 于相应的所述第二层之间以具有和所述第二层基本相同的形状。
7.根据权利要求5所述的电容器结构,其中所述第二电极包括棒型结构。
8.根据权利要求5所述的电容器结构,其中所述第二电极的所述第二层 通过另外的金属互连彼此连接。
9.根据权利要求5所述的电容器结构,其中所述第二电极与所述第一电极 间隔开0.1μm~1μm的距离。
10.根据权利要求5所述的电容器结构,其中所述第二电极设置于所述第 一电极的每个开口处。
11.根据权利要求5所述的电容器结构,其中所述第一电极的所述开口为 多边形。
12.根据权利要求5所述的电容器结构,其中所述第一电极的所述开口为 圆形、半圆形或者椭圆形。
13.根据权利要求5所述的电容器结构,其中所述第一通路的宽度基本等 于或者窄于所述第一电极的宽度。
14.根据权利要求5所述的电容器结构,其中所述第二通路的宽度基本等 于或者窄于所述第二电极的宽度。
15.根据权利要求5所述的电容器结构,其中所述第一电极的所述开口沿 垂直方向对准。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





