[发明专利]用于纳米压印的滚筒模仁的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种纳米压印制作工艺的压印模仁的制作，且特别是涉及一种纳米压印制作工艺的滚筒模仁的制作，其上形成有纳米转印图案(nano-imprint patterns)。

背景技术

随着3C科技的快速发展，半导体制作工艺与资讯记录媒体制作工艺必须不断缩小线宽(line width)或记录点(recording pit)大小，来提升运算速度与记录密度。以光盘存储为例：DVD光盘的最小纪录点长度约为400nm，下一世代光盘的最小记录点长度约为170nm。半导体制作工艺的线宽更由数百纳米缩小至数十纳米。

因此，为了精确的制作出极微小线宽或记录点，便发展出如纳米压印光刻(Nanoimprint Lithography，NIL)技术的纳米制作工艺，以得到纳米级图案。在纳米压印光刻技术所需的具有纳米结构图案的模具的制作工艺中，最常见的就是采用电子束光刻(Electron Beam Lithorgraphy)技术并搭配有机光致抗蚀剂的使用而形成纳米结构图案在平面模仁上。然而，使用电子束光刻技术制造纳米结构图案的设备成本高、光刻制作工艺费时，并不利于平面模仁上制作大面积的微纳米图案的制作。

另外，也可将采用电子束光刻技术所形成的微纳米结构图案，利用转印方式形成于多片可挠性金属基板后，再以贴合的方式贴附于滚轴上以形成一滚筒模仁，接着以roll-to-roll的方式来达到大面积微纳米结构图案的压印。然而，由于贴附于滚筒模仁的滚轴上的多片可挠性金属基板分别采用转印方式所形成，故此些可挠性金属基板上的纳米图案间的精准接合定位恐不易达成。再者，可挠性金属基板在拼接后恐会在滚筒模仁上形成不期望的接缝，因而无法充分在滚筒模仁的整个曲面上形成纳米图案。此外，此些可挠性金属基板仍具有硬度不足的疑虑，故在采用Roll-to-Roll方式以压印其上的微纳米结构图案时，恐会随着使用时间与频率的增加而造成所应用的滚筒模仁上的微纳米结构图案的毁损，进而影响了滚筒模仁的可靠度与使用寿命。

第I305753号中国台湾专利中揭示了一种滚筒模仁的制造方法，其通过压印滚筒以挤压一平面模仁而将此平面模仁上的图案结构转印至覆盖在一圆柱状主体结构的曲面上的经加热压印材料层上，进而完成了压印用的滚筒模仁的制作。

发明内容

本发明的目的在于提供一种用于纳米压印的滚筒模仁的制造方法，以解决上述问题。

为达上述目的，本发明提供了一种用于纳米压印的滚筒模仁的制造方法，包括：

提供一滚轴基板，其中该滚轴基板为一圆柱体且具有一曲面；形成一无机光致抗蚀剂层在该滚轴基板的该曲面上；使用一激光曝光装置，以聚焦的激光照射该无机光致抗蚀剂层，使得曝光区域的该无机光致抗蚀剂层产生相转变，以及移除相转变区域的该无机光致抗蚀剂层，以在该滚轴基板上形成一纳米图案。

为了让本发明的上述和其他目的、特征能更明显易懂，下文特举一较佳实施例，并配合所附图示，作详细说明如下：

附图说明

图1A-1C显示了依据本发明一实施例的滚筒模仁的制造方法；

图1D-1E显示了依据本发明另一实施例的滚筒模仁的制造方法；

图2A-2D显示了依据本发明又一实施例的滚筒模仁的制造方法；以及

图3A-3C显示了依据本发明另一实施例的滚筒模仁的制造方法。

主要元件符号说明

100～滚轴基板；

102、150～滚轴基板的曲面；

104～无机光致抗蚀剂层；

104a～无机光致抗蚀剂层的相变化态；

104b～无机光致抗蚀剂层的初始态；

106～聚焦的激光；

108～激光曝光装置；

110、110’～纳米图案；

110”～转移纳米图案；

112～金属层；

120～缺口；

200～中间层；

200a～经图案化的中间层；

250、350～干蚀刻程序。

具体实施方式

图1A-1C为一系列剖面示意图，显示了依据本发明一实施例的滚筒模仁的制造方法。