[发明专利]电浆蚀刻机台及其顶出销有效
| 申请号: | 200910204143.3 | 申请日: | 2009-10-15 |
| 公开(公告)号: | CN101692433A | 公开(公告)日: | 2010-04-07 |
| 发明(设计)人: | 吴仲尧;陈信全;徐弘迪;陈璟桦;吴志坚;杨总胜;杨中维;江舜彦;宋嘉恩;杨胜淼;曾景义 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/677;H01L21/00 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;张燕华 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 蚀刻 机台 及其 顶出销 | ||
技术领域
本发明涉及一种等离子体蚀刻装置,特别是一种等离子体蚀刻机台及其顶出销。
背景技术
随着光学科技与半导体技术的进步,液晶显示装置(Liquid Crystal Display;LCD)已广泛地应用于电子产品显示装置上。液晶显示器具有高画质、体积小、重量轻、低电压驱动、低消耗功率及应用范围广等优点,故已广泛地应用于可携式电视、行动电话、摄录放影机、笔记型计算机、桌上型显示器、以及投影电视等消费性电子或计算机产品中,成为显示器的主流。
一般液晶显示器的主体为液晶单元,主要是由两片透明基板以及被封于基板之间的液晶所构成。目前液晶显示器是以薄膜晶体管(Thin Film Transistor;TFT)液晶显示器为主,液晶上下两层玻璃基板主要是用来夹住液晶,下层基板上有薄膜晶体管,而上层基板则为一彩色滤光片(Color filter)。彩色滤光片在上层基板上形成红(R)、绿(G)、蓝(B)三原色的彩色滤光层,以使液晶显示器呈现出丰富的颜色图像。
薄膜晶体管基板需通过光学微影工艺,以在玻璃基板上形成所需的薄膜晶体管。传统的等离子体蚀刻机台因等离子体被下电极所吸引,而直接往下冲撞放置于下电极表面的基板,以达到蚀刻的目的。然而,下电极因长久使用,其表面浮凸图案(embossment)的周围,易形成生成物的沉积。此生成物会造成电容效应,使静电累积于下电极表面,以致在玻璃基板与下电极接触时,造成玻璃基板的损伤。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种等离子体蚀刻机台及其顶出销,不仅可将玻璃基板顶起,并可将基板与下电极上残留的静电接地,有效地避免等 离子体蚀刻工艺中,玻璃基板的损伤。
为了实现上述目的,本发明提供了一种顶出销,用于一等离子体蚀刻机台,以顶起一基板,其中,该顶出销包含:
一绝缘外壳;以及
一导电中心销,安装于该绝缘外壳之中,并在顶起该基板时,接触该基板,以移除该基板上的残留静电,所述的导电中心销具有一底部接地端,以电性连接该等离子体蚀刻机台的一接地线路,所述的导电中心销上设置有一安全槽,该安全槽相较于该导电中心销具有较小的截面积,且该顶出销向上升起时,该安全槽能够高出于该等离子体蚀刻机台的下电极的表面。
上述的顶出销,其中,所述的导电中心销的材料选自于金、银、铜、铁、铝合金与不锈钢所构成的群组,该绝缘外壳的材料选自于聚苯并咪唑、聚醚醚酮、陶瓷、石英与聚酰亚胺所构成的群组。
上述的顶出销,其中,该安全槽与该导电中心销的一顶端距离92毫米。
上述的顶出销,其中,所述的绝缘外壳具有一扳手固定槽,设置于该绝缘外壳的上方部位,用以固定该顶出销,该扳手固定槽与该绝缘外壳的一顶端距离12毫米。
上述的顶出销,其中,所述的绝缘外壳的一顶端,具有一倒角。
上述的顶出销,其中,所述的绝缘外壳的一顶端,具有一斜面倒角。
为了更好地实现上述目的,本发明还提供了一种等离子体蚀刻机台,其中,包含:
一上电极;
一下电极,具有多个第一开口与多个第二开口;
一升降装置,安装于该下电极的下方;以及
多个如上述的顶出销,其中,所述的顶出销安装于该升降装置上,且穿过所述第二开口,当该基板进行蚀刻时,该升降装置驱动所述顶出销降下,使该基板平置于该下电极之上,并覆盖所述第二开口,当所述顶出销顶起该基板时,该导电中心销接触该基板,以移除该基板上的残留静电。
上述的等离子体蚀刻机台,其中,所述的第一开口为冷却气体的入口,以 降低该基板的温度。
上述的等离子体蚀刻机台,其中,所述的下电极在等离子体蚀刻时,还通入一预定电压,以产生静电吸附该基板。
为了更好地实现上述目的,本发明还提供了一种等离子体蚀刻机台,其中,包含:
一上电极;
一下电极,具有多个开口;
一升降装置,安装于该下电极的下方;以及
多个如上述的顶出销,其中,所述的顶出销设置于该升降装置上,且分别对应穿过所述开口。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





