[发明专利]半导体器件的形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底表面形成有金属层；

在所述金属层表面形成粘附层；

在所述粘附层表面形成第一蚀刻阻挡层；

在所述第一蚀刻阻挡层表面形成第二蚀刻阻挡层；

在所述第二蚀刻阻挡层表面形成介质层。

2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述粘附层材料为氮化硅。

3.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述粘附层厚度为200埃至400埃。

4.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述粘附层的形成工艺为介质化学气相沉积法。

5.如权利要求4所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述粘附层的具体工艺参数为：反应温度为300摄氏度至400摄氏度，腔室压力为4托至6托，反应间距为5毫米至8毫米，功率为200瓦至240瓦，四乙氧基硅烷流量为每分钟300标准立方厘米至每分钟400标准立方厘米，氨气流量为每分钟650标准立方厘米至每分钟750标准立方厘米。

6.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一蚀刻阻挡层材料为碳掺杂的氮化硅，其中碳元素质量百分比为小于10％。

7.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一蚀刻阻挡层厚度为100埃至200埃。

8.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一蚀刻阻挡层的形成工艺为介质化学气相沉积法。

9.如权利要求8所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述第一蚀刻阻挡层的具体工艺参数为：反应温度为300摄氏度至400摄氏度，腔室压力为3.7托至4.2托，反应间距为5毫米至8毫米，功率为200瓦至240瓦，四乙氧基硅烷流量为每分钟300标准立方厘米至每分钟400标准立方厘米，氨气流量为每分钟650标准立方厘米至每分钟750标准立方厘米，氦气流量为每分钟1000标准立方厘米至每分钟1400标准立方厘米。

10.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二蚀刻阻挡层的材料为碳掺杂的氮化硅，其中碳元素质量百分比为35％至40％。

11.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二蚀刻阻挡层厚度为250埃至400埃。

12.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二蚀刻阻挡层的形成工艺为介质化学气相沉积法。

13.如权利要求12所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述第二蚀刻阻挡层的具体工艺参数为：反应温度为300摄氏度至400摄氏度，腔室压力为5托至6托，反应间距为7至9毫米，功率为222瓦至333瓦，四乙氧基硅烷流量为每分钟200标准立方厘米至每分钟350标准立方厘米，氨气流量为每分钟650标准立方厘米至每分钟750标准立方厘米，氦气流量为每分钟1100标准立方厘米至每分钟1300标准立方厘米，CH₄流量为每分钟300标准立方厘米至每分钟500标准立方厘米。