[发明专利]光罩清洗方法有效
| 申请号: | 200910196549.1 | 申请日: | 2009-09-27 |
| 公开(公告)号: | CN102033416A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
| 发明(设计)人: | 李德建 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;B08B7/04;F26B5/08 |
| 代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 谢安昆;宋志强 |
| 地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 清洗 方法 | ||
1.一种光罩清洗方法,当拆掉光罩上的光罩保护膜后,该方法包括:
在光罩上的光罩保护膜粘贴区域均匀喷洒指定溶液,并对喷洒有指定溶液的区域进行单方向擦拭,当目测光罩上不存在残胶时,停止擦拭;
依次利用臭氧水、去离子水、SC-1溶液和去离子水对光罩进行清洗;
对清洗后的光罩进行干燥处理。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述依次利用臭氧水、去离子水对光罩进行清洗之后,进一步包括:
利用纳米波长的深紫外灯对光罩进行照射;照射预定时长后,再次利用臭氧水对光罩进行清洗。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述利用纳米波长的深紫外灯对光罩进行照射的时长为8~12分钟;所述纳米波长的深紫外灯发出的紫外光的波长为172纳米。
4.根据权利要求1、2或3所述的方法,其特征在于,所述指定溶液为丙酮。
5.根据权利要求1、2或3所述的方法,其特征在于,所述对喷洒有指定溶液的区域进行单方向擦拭包括:
等待2~3分钟后,利用棉签对喷洒有指定溶液的区域进行单方向擦拭。
6.根据权利要求1、2或3所述的方法,其特征在于,所述臭氧水的浓度为80~90毫克/升;每次利用臭氧水进行清洗的时长为3~8分钟。
7.根据权利要求1、2或3所述的方法,其特征在于,每次利用去离子水进行清洗的时长为5~10分钟。
8.根据权利要求1、2或3所述的方法,其特征在于,所述利用SC-1溶液进行清洗的时长为3~5分钟。
9.根据权利要求1、2或3所述的方法,其特征在于,所述对清洗后的光罩进行干燥处理包括:
将清洗后的光罩固定在机台上,利用电机驱动机台旋转,利用旋转的离心力甩干水汽以及利用与空气的摩擦蒸发水汽,达到干燥的目的。
10.根据权利要求1、2或3所述的方法,其特征在于,在拆掉光罩上的光罩保护膜后的半小时内,在所述光罩保护膜粘贴区域均匀喷洒指定溶液。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备





