[发明专利]接触孔的光刻方法

权利要求书

1.一种接触孔的光刻方法，在产生有源区AA层的图案时，表面旋涂光阻胶，并进行曝光、显影，AA层表面的光刻图案包括有效器件图案和第一外框，其中，第一外框包括：第一上外框、第一下外框、第一左外框和第一右外框；在产生多晶硅栅PL层的图案时，表面旋涂光阻胶，并进行曝光、显影，PL层表面的光刻图案包括有效器件图案和第二外框，其中，第二外框包括：第二上外框、第二下外框、第二左外框和第二右外框，其特征在于，该方法还包括：

A、在产生接触孔CT层的图案时，表面旋涂光阻胶，并进行曝光，CT层表面的光刻图案包括有效器件图案和第三内框，其中，第三内框包括：第三上内框、第三下内框、第三左内框和第三右内框，第三内框图案中心点为第三中心点；

B、量测第三中心点与第一上外框的距离、第三中心点与第一下外框的距离，若二者的距离差值的绝对值大于预先设定的套刻精度，则调整CT层相对AA层在Y方向的光刻图案位置偏移量，去除CT层表面的光阻胶，并转回执行步骤A；否则，执行步骤C；

C、量测第三中心点与第二左外框的距离、第三中心点与第二右外框的距离，若二者的距离差值的绝对值大于预先设定的套刻精度，则调整CT层相对PL层在X方向的光刻图案位置偏移量，去除CT层表面的光阻胶，并转回执行步骤A；否则，进行显影。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤B中所述调整CT层相对AA层在Y方向的光刻图案位置偏移量的方法包括：若第三中心点与第一上外框的距离、第三中心点与第一下外框的距离这两者的差值大于预先设定的套刻精度，则CT层的光罩相对AA层向Y方向的正方向移动，或承载晶圆的承片台相对CT层的光罩向Y方向的负方向移动；若第三中心点与第一下外框的距离、第三中心点与第一上外框的距离这两者的差值大于预先设定的套刻精度，则CT层的光罩相对AA层向Y方向的负方向移动，或承载晶圆的承片台相对CT层的光罩向Y方向的正方向移动。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤C中所述调整CT层相对PL层在X方向的光刻图案位置偏移量的方法包括：若第三中心点与第二左外框的距离、第三中心点与第二右外框的距离这两者的差值大于预先设定的套刻精度，则CT层的光罩相对PL层向X方向的负方向移动，或承载晶圆的承片台相对CT层的光罩向X方向的正方向移动；若第三中心点与第二右外框的距离、第三中心点与第二左外框的距离这两者的差值大于预先设定的套刻精度，则CT层的光罩相对PL层向X方向的正方向移动，或承载晶圆的承片台相对CT层的光罩向X方向的负方向移动。