[发明专利]一种肖特基二极管结构无效
| 申请号： | 200910195418.1 | 申请日： | 2009-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN101667600A | 公开（公告）日： | 2010-03-10 |
| 发明（设计）人： | 黎坡;张拥华;周建华;彭树根 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/47 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王 洁 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 二极管 结构 | ||
1.一种肖特基二极管结构，包括半导体衬底、轻掺杂阱区、金属硅化物、扩散阻挡层和金属电极引出层，其特征在于：所述轻掺杂阱区位于半导体衬底中，所述金属硅化物与轻掺杂阱区直接接触形成肖特基结，所述扩散阻挡层和金属电极引出层依次覆盖在金属硅化物表面。
2.根据权利要求1所述的肖特基二极管结构，其特征在于，所述扩散阻挡层覆盖至少一部分金属硅化物表面。
3.根据权利要求2所述的肖特基二极管结构，其特征在于，所述金属电极引出层覆盖至少一部分扩散阻挡层。
4.根据权利要求1所述的肖特基二极管结构，其特征在于，所述轻掺杂阱区为N型半导体掺杂。
5.根据权利要求4所述的肖特基二极管结构，其特征在于，所述轻掺杂阱区掺杂浓度为1E15cm-3～1E17cm-3。
6.根据权利要求1所述的肖特基二极管结构，其特征在于，所述金属硅化物层位于半导体衬底表面，并覆盖至少一部分所述轻掺杂阱区，与轻掺杂阱区直接接触形成肖特基结。
7.根据权利要求1所述的肖特基二极管结构，其特征在于，所述金属硅化物层厚度为
8.根据权利要求6或7所述的肖特基二极管结构，其特征在于，所述金属硅化物为TiSi2或CoSi2或WSi或MoSi2或Pd2Si或PtSi。
9.根据权利要求1或2或3所述的肖特基二极管结构，其特征在于，所述扩散阻挡层材料为Ta或Ni或W或Ti或Mo或Cr或V或Nb-Ni或Mo-Ni或Si-Ni或Si-W或Mo-Si或Ir-Ta或Ni-W或TiN。
10.根据权利要求1或2或3所述的肖特基二极管结构，其特征在于，所述扩散阻挡层厚度为
11.根据权利要求1或3所述的肖特基二极管结构，其特征在于，所述金属电极的引出材料为Al或W。
12.根据权利要求1或3所述的肖特基二极管结构，其特征在于，所述金属电极引出层厚度为0.3μm～1.5μm。
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