[发明专利]NLDMOS器件及其制造方法

说明书

【技术领域】

本发明涉及一种NLDMOS(N型横向双扩散金属氧化物半导体)器件，尤其涉及一种具有较高击穿电压和较低导通电阻的NLDMOS及其制造方法。

【背景技术】

随着半导体器件操作电压的不断提高，为了获得更高的器件耐压及较小的导通电阻，就引入了Super Junction(超结)概念。以NLDMOS(N型横向双扩散金属氧化物半导体)为例，首先为了获得较小的导通电阻而形成了浓度较高的N型漂移区，由于漂移区浓度较高使器件击穿值偏低，这时在N型漂移区内形成一定的P型区域。该P型区域一般是在漂移区的表面，沿沟道方向呈条状分布。通过引入的P型杂质与漂移区的N型杂质达到电荷平衡，以增强漂移区的耗尽，提高器件的击穿电压。但是由于该P型区是通过小能量注入到漂移区表面，电流只能从其下方的漂移区流过。而且为使其能够在纵向上耗尽整个漂移区，P型区的结深就不能太浅，因此必须经过一定的热过程推阱形成，这样就会使得N型漂移区杂质浓度受到P型杂质的影响而降低，抬高了导通电阻。而且经过热过程形成的P型区由于横扩使其尺寸增大，同样减小了电流流经的路径，再次抬高了导通电阻。

【发明内容】

有鉴于此，有必要针对NLDMOS器件导通电阻较大和击穿电压较小的问题，提供一种能提高击穿电压和降低导通电阻的NLDMOS器件。

此外，还有必要提供一种提高击穿电压和降低导通电阻的NLDMOS器件的制造方法。

一种NLDMOS器件，包括浮置-P型结构，第一场氧区，第二场氧区，N型漂移区，第一场氧区和第二场氧区位于N型漂移区之上相对设置，所述浮置-P型结构位于N型漂移区的中部沿着N型漂移区的沟道方向，所述的第一场氧区和第二场氧区之间的有源区的宽度不小于浮置-P型结构的长度，浮置-P型在N型漂移区的中部。

优选地，所述浮置-P型结构的数量不少于两个。

优选地，所述浮置-P型结构在版图上为条状，横截面为长方形。

优选地，所述浮置-P型结构的横截面为圆形。

优选地，所述第一场氧区和所述第二场氧区长度不一样。

一种NLDMOS器件制造方法，所述NLDMOS器件包括浮置-P型结构，第一场氧区，第二场氧区，N型漂移区，第一场氧区和第二场氧区位于N型漂移区之上相对设置，包括五个步骤：

步骤一：采用常规的外延生产工艺在埋氧层上形成外延层；

步骤二：采用常规的MOS工艺的进行阱注入，形成所述的N型漂移区；

步骤三：通过生长形成所述第一场氧区和所述第二场氧区，所述第一场氧区和第二场氧区之间就是有源区，该有源区尺寸配合将要注入的浮置-P型结构的长度；

步骤四：注入源栅和漏区；

步骤五：透过所述第一场氧区和所述第二场氧区之间的有源区将浮置-P型结构植入所述N型漂移区的中部。

优选地，所述浮置-P型结构的注入能量为200Kev～2000Kev。

采用上述结构，可以提高NLDMOS器件的击穿电压和降低导通电阻，降低了制作过程中对光刻胶厚度的要求，以及对高能注入机的要求。

【附图说明】

图1是本发明实施例NLDMOS器件结构示意图。

图2是图1沿着A-A’方向的截面示意图。

【具体实施方式】

如图1所示，是本发明的NLDMOS器件的结构示意图。该NLDMOS器件包括衬底引出101，源区引出103，栅极引出105，第一场氧区107，第二场氧区109，漏端引出111，高压N阱做成的N型漂移区113，浮置-P型结构(浮置P结构)115，埋氧层117，高压P阱做成的衬底119，N型漂移区113位于埋氧层117之上，衬底119和N型漂移区113相邻位于埋氧层117之上，浮置-P型结构115置于N型漂移区113之内。

根据各部分杂质浓度的调整，上述NLDMOS器件的击穿电压范围可达100V～1000V。