[发明专利]NLDMOS器件及其制造方法有效

申请号：	200910188704.5	申请日：	2009-12-03
公开（公告）号：	CN102088031A	公开（公告）日：	2011-06-08
发明（设计）人：	吴孝嘉;罗泽煌;韩广涛	申请（专利权）人：	无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
主分类号：	H01L29/78	分类号：	H01L29/78;H01L21/336
代理公司：	广州华进联合专利商标代理有限公司 44224	代理人：	何平
地址：	214000 江苏省无***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
搜索关键词：	nldmos 器件及其制造方法
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【权利要求书】：

1.一种NLDMOS器件，包括浮置-P型结构，第一场氧区，第二场氧区，N型漂移区，第一场氧区和第二场氧区位于N型漂移区之上相对设置，其特征在于：所述浮置-P型结构位于N型漂移区的中部沿着N型漂移区的沟道方向，所述的第一场氧区和第二场氧区之间的有源区的宽度不小于浮置-P型结构的长度，浮置-P型在N型漂移区的中部。

2.如权利要求1所述的NLDMOS器件，其特征在于：所述浮置-P型结构的数量不少于两个。

3.如权利要求1所述的NLDMOS器件，其特征在于：所述浮置-P型结构在版图上为条状，横截面为长方形。

4.如权利要求1所述的NLDMOS器件，其特征在于：所述浮置-P型结构的横截面为圆形。

5.如权利要求1所述的NLDMOS器件，其特征在于：所述第一场氧区和所述第二场氧区长度不一样。

6.一种NLDMOS器件制造方法，所述NLDMOS器件包括浮置-P型结构，第一场氧区，第二场氧区，N型漂移区，第一场氧区和第二场氧区位于N型漂移区之上相对设置，其特征在于：

步骤一：采用常规的外延生产工艺在埋氧层上形成外延层；

步骤二：采用常规的MOS工艺的进行阱注入，形成所述的N型漂移区；

步骤三：通过生长形成所述第一场氧区和所述第二场氧区，所述第一场氧区和第二场氧区之间就是有源区，该有源区尺寸配合将要注入的浮置-P型结构的长度；

步骤四：注入源栅和漏区；

步骤五：透过所述第一场氧区和所述第二场氧区之间的有源区将浮置-P型结构植入所述N型漂移区的中部。

7.如权利要求6所述的NLDMOS器件制造方法，其特征在于：所述浮置-P型结构的注入能量为200Kev～2000Kev。

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