[发明专利]制备单晶硅绒面的方法无效
| 申请号： | 200910183007.0 | 申请日： | 2009-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN101634046A | 公开（公告）日： | 2010-01-27 |
| 发明（设计）人： | 高周妙;沈专;马跃;戴燕华;王景霄;陈文浚 | 申请（专利权）人： | 江苏林洋新能源有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10 |
| 代理公司： | 南通市永通专利事务所 | 代理人： | 葛 雷 |
| 地址： | 226200江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 单晶硅 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种制备单晶硅绒面的方法，其特征是：将单晶硅片先用碱腐蚀溶液腐蚀处理，然后用酸腐蚀溶液腐蚀处理制成单晶硅绒面；所述碱腐蚀溶液是氢氧化钠、硅酸钠、异丙醇和水的混合液，其中氢氧化钠的浓度范围为0.1到0.5摩尔/升，硅酸钠的浓度范围为0.01到0.07摩尔/升，异丙醇浓度范围为0.7到2.0摩尔/升；该酸腐蚀液是氢氟酸、硝酸及水的混合液，其中氢氟酸的浓度范围为1到10摩尔/升，硝酸浓度范围为3到30摩尔/升。
2、根据权利要求1所述的制备单晶硅绒面的方法，其特征是：碱腐蚀处理的温度范围为75摄氏度到90摄氏度，碱腐蚀处理的时间范围为15分钟到40分钟。
3、根据权利要求1或2所述的制备单晶硅绒面的方法，其特征是：酸腐蚀处理的温度范围为6摄氏度到40摄氏度，酸腐蚀处理的时间范围为5秒到300秒。
4、根据权利要求1或2所述的制备单晶硅绒面的方法，其特征是：在用碱、酸腐蚀液腐蚀处理时，是把单晶硅片浸泡在碱、酸腐蚀液中。
5、根据权利要求1或2所述的制备单晶硅绒面的方法，其特征是：被腐蚀处理的单晶硅片的厚度为4.5到25微米。
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