[发明专利]半导体元件、电路、显示器件和发光器件有效
| 申请号: | 200910176350.2 | 申请日: | 2002-11-08 |
| 公开(公告)号: | CN101789425A | 公开(公告)日: | 2010-07-28 |
| 发明(设计)人: | 犬饲和隆 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/32;H01L29/78;H01L29/08;G09F9/33;G09G3/32 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 朱海煜;李家麟 |
| 地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 元件 电路 显示 器件 发光 | ||
1.一种用于存储电流数据并根据所述电流数据输出电流的电路,包括:
用于选择是否将电流数据信号输入到所述电路的写入元件;以及
用于根据所述电流数据输出电流的驱动元件,
其中在所述写入元件和所述驱动元件的至少一个中使用半导体元件,并且
其中所述半导体元件包括:
在衬底上的半导体层;
栅电极;以及
在所述半导体层与所述栅电极之间的栅极绝缘膜,
其中所述半导体层包括至少三个杂质区域,并且
其中所述至少三个杂质区域与沟道形成区域相接触。
2.一种用于存储电流数据并根据所述电流数据输出电流的电路,包括:
用于选择是否将电流数据信号输入到所述电路的写入元件;以及
用于根据所述电流数据输出电流的驱动元件,
其中在所述写入元件和所述驱动元件的至少一个中使用半导体元件,
其中所述驱动元件工作在饱和区域,并且
其中所述半导体元件包括:
在衬底上的半导体层;
栅电极;以及
在所述半导体层与所述栅电极之间的栅极绝缘膜,
其中所述半导体层包括至少三个杂质区域,并且
其中所述至少三个杂质区域与沟道形成区域相接触。
3.一种具有根据权利要求1或2所述的电路的电子设备,其中所述电子设 备选自由OLED显示器件、数字静态照像机、移动式计算机、便携式图像再现设 备、护目镜式显示器、摄像机、和移动电话组成的组。
4.如权利要求1所述的电路,还包括用于保持所述驱动元件的栅极电压的 电容元件。
5.如权利要求2所述的电路,还包括用于保持所述驱动元件的栅极电压的 电容元件。
6.如权利要求1所述的电路,还包括用于保持所述驱动元件的栅极电压的 电容元件;以及用于选择所述电容元件中所保持的电荷的释放的初始化元件。
7.如权利要求2所述的电路,还包括用于保持所述驱动元件的栅极电压的 电容元件;以及用于选择所述电容元件中所保持的电荷的释放的初始化元件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





