[发明专利]具有窗口阵列的顶部暴露式夹片

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体芯片封装，特别涉及一种在芯片封装中使用源极夹片，从而在兼具降低扩散电阻与增强热耗散的方式下提供电性接触。 

在半导体组件封装上，金属夹片经常是用于在半导体芯片与嵌设该芯片的框架之间提供电性连接。大部分的电流夹片是非暴露式夹片。某些夹片为了有较佳的热耗散采取暴露设计，但是有限制。举例来说，美国专利号6624522公开一种金属氧化物半导体(MOS)栅极组件晶片，其源极侧覆盖一钝化层，如光敏液态环氧树脂、氮化硅层或相似者。晶片是由自旋或者屏蔽涂布或者其它方式沉积液态环氧树脂于晶片表面上。随后进行干燥并且对已涂布的晶片依照一般显影技术进行图案化，并在钝化层上形成开口，以产生若干个分隔开且暴露出下方源极金属的表面区域，以及用以暴露出位于晶片上的芯片的下方栅极电极的相似开口。钝化层是不仅是钝态层并且更是电镀抵抗层(假如有需要的话)，也作为焊锡掩膜，标示并形成焊锡的区域。 

随后进行晶片切割或者以其它方式裁切为独立芯片。独立芯片随后向下放置于源极侧，并且一U字型或者杯状部分镀金的夹片是利用导电胶或者焊锡连接至芯片的可焊锡的漏极侧，或者键合漏极夹片至芯片的底部漏极电极。漏极夹片的管脚的底部是与芯片的源极侧表面(其是接触处凸出物的顶面)共平面。随后，在模铸承载盘内芯片的外表面进行模铸。模铸后，对组件进行测试、激光标记然后切割为独立组件。然而，此组件与标准的导线框架管脚并不兼容。 

美国专利号6777800公开一种包含有直立功率MOSFET的半导体芯片封装，其底表面设置有一栅极区域与一源极区域，顶表面设置有一漏极区域。栅极引线电性连接至栅极区域，源极引线电性连接至源极区域。漏极夹片电性连接至漏极区域。一非传导模铸材料将此半导体芯片封围(encapsulation)， 其中该漏极夹片的表面是暴露于此非传导模铸材料外。然而，这样的半导体芯片封装需要倒装制程(flip-chip process)。 

美国专利公开号20080087992公开一种具有桥式板状内部互连结构(bridged plate interconnection)的半导体封装。这个封装结构利用一桥式源极板状内部互连结构，其具有一桥式部、设于桥式部两侧的山谷部、设置在山谷部和桥式部两侧的平面部，以及倚赖于平面部之一的连接部。桥式部是设置在高于山谷部分的平面上，平面部分所在的平面是位于桥式部份所在平面与山谷部份所在平面的中间。在封围过程中，键合材料流经桥式部份的下方并且提供机械强度给该桥式源级板状内部互连结构。桥式部份的顶端可能暴露于模铸复合物外，然而暴露的区域是少的，仅允许少量热耗散路径。 

美国专利申请案号12/130663(Attorney Docket No.ANO-014/US)公开一种顶面暴露的桥式夹片，其包含有两个或以上个分隔开的导电指状结构(electrically conductive fingers)，其由一个或更多个电性传导桥来彼此电性连接。至少一指状结构的第一末端是用以与引线框架电性接触。半导体组件封装包含有沿着半导体组件与引线框架的夹片。此半导体组件可分别在顶表面与底表面具有第一与半导体区域。夹片可电性连接至桥式处的半导体区域顶面，并电性连接至位于至少一指状结构的第一末端上的引线框架。然而，这个夹片具有少量的暴露区域，其仅允许少量的热耗散途径。 

因此开发具有有效热耗散以及与半导体组件低电阻连接的半导体组件封装是令人渴求的。并且，开发与一般标准的半导体管脚兼容的封装结构是需要的。进一步，使半导体组件封装结构具有坚固耐用的应力释放结构与能弹性化的使用不同尺寸的半导体组件也是让人向往的。 

发明内容

本发明的主要目的在提供一种具有窗口阵列的顶部暴露式夹片，其具有有效的热耗散途径且能与一般标准的半导体管脚兼容。 

本发明的另一目的在提供一种具有窗口阵列的顶部暴露式夹片，其使半导体组件封装结构具有坚固耐用的应力释放结构与能弹性化的使用不同尺寸的半导体组件。 

本发明提出一种半导体组件封装的夹片，其包含有一具有窗口阵列的金 属薄板；至少一导电指状结构，每一个导电指状结构具有第一末端与第二末端，其中在窗口之一处，第一末端电性连接至金属薄板；其中每一导电指状结构在第二末端处是用以提供电性连接至半导体组件的上半导体区域或者引线框架。 

以下由具体实施例详加说明，当更容易了解本发明的目的、技术内容、特点及其所达成的功效。 

附图说明