[发明专利]具有窗口阵列的顶部暴露式夹片有效
| 申请号: | 200910175998.8 | 申请日: | 2009-09-15 |
| 公开(公告)号: | CN101685810A | 公开(公告)日: | 2010-03-31 |
| 发明(设计)人: | 石磊;赵良;刘凯 | 申请(专利权)人: | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/492 | 分类号: | H01L23/492;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人: | 张静洁;王敏杰 |
| 地址: | 百慕大哈密*** | 国省代码: | 百慕大群岛;BM |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 窗口 阵列 顶部 暴露 式夹片 | ||
1.一种用于半导体组件封装的夹片,其包含有:
一金属薄板,其包含有窗口阵列;
至少一导电指状结构,每一导电指状结构具有第一末端与第二末端,其中,在窗口处,第一末端电性连接至金属薄板;
其中每一该导电指状结构在第二末端处是用来提供电性连接到半导体组件上的半导体区域或者引线框架。
2.如权利要求1所述的夹片,其特征在于,该导电指状结构是单一阶梯状。
3.如权利要求1所述的夹片,其特征在于,该导电指状结构是双阶梯状。
4.如权利要求1所述的夹片,其特征在于,该导电指状结构是螺旋形状。
5.如权利要求1所述的夹片,其特征在于,该至少一导电指状结构包含有第二末端是近似V形的至少一指状结构,其近似V形的底部与该半导体区域的顶部形成电性连接。
6.如权利要求1所述的夹片,其特征在于,该至少一导电指状结构更包含有第二末端与一引线框架形成电性连接的至少一指状结构。
7.如权利要求1所述的夹片,其特征在于,该金属薄板的材料是选自于包含有铜、钢、铝、镍、钛所构成的群组或者结合有其它成分的铜合金、钢合金、铝合金、镍合金、钛合金。
8.如权利要求1所述的夹片,其特征在于,在邻接窗口间该导电指状结构提供若干个彼此间是利用间隙分隔开的平行电性路径。
9.如权利要求1所述的夹片,其特征在于,该夹片的尺寸是介于0.5mm与5cm之间。
10.如权利要求1所述的夹片,其特征在于,该导电指状结构是由该金属薄板冲模形成。
11.一种半导体封装结构,其包含有:
一引线框架,其包含有一个主要部分与至少一个引线;
一半导体组件,其包含有至少一个位于顶面的第一接触区域;以及
一夹片,其包含有:
一金属薄板,其包含有一窗口阵列;
若干个导电指状结构,每一个导电指状结构包含有第一末端与第二末端,其中,在每个窗口处,该第一末端电性连接至该金属薄板;
其中在该若干个导电指状结构的第一设置处的第二末端处,该夹片电性连接至该半导体组件的第一接触区域;
其中该夹片电性连接该第一接触区域至该引线框架;以及
该半导体组件的底面面向该引线框架的主要部分设置。
12.如权利要求11所述的半导体封装结构,其特征在于,该若干个导电指状结构的该第一设置处的第二末端是近似V形,其中每一个近似V形的底部与该第一接触区域电性连接。
13.如权利要求11所述的半导体封装结构,其特征在于,在该若干个导电指状结构的第二设置处,该夹片电性连接至该引线框架。
14.如权利要求11所述的半导体封装结构,其特征在于,该导电指状结构是单一阶梯状。
15.如权利要求11所述的半导体封装结构,其特征在于,该导电指状结构是双阶梯状。
16.如权利要求11所述的半导体封装结构,其特征在于,该导电指状结构是螺旋形状。
17.如权利要求11所述的半导体封装结构,其特征在于,该半导体组件是利用一模铸化合物进行封围,其中该夹片的顶表面是自该模铸化合物暴露出。
18.如权利要求11所述的半导体封装结构,其特征在于,该半导体组件是金属氧化物半导体MOS组件,其中该MOS组件的表面上更包含有一栅极区域。
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