[发明专利]半导体集成电路和使用它的IC卡无效

专利信息
申请号: 200910174117.0 申请日: 2009-09-30
公开(公告)号: CN101714220A 公开(公告)日: 2010-05-26
发明(设计)人: 渡边一希;米谷信昭 申请(专利权)人: 株式会社瑞萨科技
主分类号: G06K19/073 分类号: G06K19/073;G06K19/07;H01Q1/22;H02J17/00;H02M7/02;H02M3/10
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 集成电路 使用 ic
【权利要求书】:

1.一种半导体集成电路,包括:

天线端子,与天线相连接;

第一电源电路,对从上述天线提供给上述天线端子的交流信号 进行整流和平滑处理,从而在第一电源线上得到直流电压;

电源端子和接地端子,用于从外部输入电源电压;

第二电源电路,具有配置在上述电源端子与上述第一电源线之 间的第一MOS晶体管、控制上述第一MOS晶体管的栅极端子电压 的电压控制电路以及上拉电路;以及

基板电位控制电路,控制上述第一MOS晶体管的基板电压,

具有使用上述电源端子和上述接地端子进行工作的接触模式、 和使用上述天线进行工作的非接触模式,

在为上述非接触模式时,通过使上述第一MOS晶体管处于截止 状态来分离上述电源端子和上述第一电源线,

在为上述接触模式时,通过使利用上述电压控制电路和上拉电 路生成的控制信号输入到上述第一MOS晶体管,从而将输入到上述 电源端子的上述电源电压抑制为预定的电压,并将其输出到上述第 一电源线。

2.根据权利要求1所述的半导体集成电路,其特征在于,

上述上拉电路包括第二MOS晶体管,该第二MOS晶体管在将 上述第一电源电路生成的电压用于电源时,使上述第一MOS晶体管 的基板电压和栅极电压导通,当使用来自外部端子的电源时设为非 导通。

3.根据权利要求2所述的半导体集成电路,其特征在于,

上述基板电位控制电路,在上述第一MOS晶体管的截止状态下 将上述第一电源线的电压作为上述基板电压来进行输出,在上述第 一MOS晶体管的非截止状态下将上述电源端子的电压作为上述基 板电压输出。

4.根据权利要求3所述的半导体集成电路,其特征在于,

上述基板电位控制电路包括:在上述基板电压的输出端子和上 述电源端子之间配置的第三MOS晶体管;在上述基板电压的输出端 子和上述第一电源线之间配置的第四MOS晶体管;以及控制上述第 三MOS晶体管和上述第四MOS晶体管的栅极端子电压的栅极电压 控制电路,

上述栅极电压控制电路,在上述电源端子的电位比上述第一电 源线的电位高时,使上述第三MOS晶体管为导通状态,在上述电源 端子的电位比上述第一电源线的电位低时,使上述第四MOS晶体管 为导通状态,从而使上述第一MOS晶体管的基板电压成为与上述第 一MOS晶体管的源极端子的电位相同的电位。

5.根据权利要求4所述的半导体集成电路,其特征在于,

上述第三MOS晶体管和上述第四MOS晶体管是各自基板的电 位与上述基板电压的输出端子的电位相同的P沟道型MOS晶体管,

上述栅极电压控制电路由将上述第三MOS晶体管的栅极与上述 第一电源线连接的布线、和将上述第四MOS晶体管的栅极与上述电 源端子连接的布线形成。

6.根据权利要求1所述的半导体集成电路,其特征在于,

还包括

连接在上述电源端子与上述接地端子之间的下拉电路;和检测 基于上述交流信号的电源的形成的检测电路,

根据上述检测电路的检测结果,上述下拉电路减小电源端子与 接地端子之间的电阻值。

7.根据权利要求6所述的半导体集成电路,其特征在于,

上述检测电路将输入到第一MOS晶体管的基板端子的电压作为 电源电压来工作。

8.根据权利要求1所述的半导体集成电路,其特征在于,

还包括将提供给上述第一电源线的电压作为电源电压来进行工 作的内部电路。

9.一种IC卡,包括:

构成天线的线圈;

构成连接端子的多个金属端子;以及

权利要求1所述的半导体集成电路,

上述半导体集成电路的天线端子与上述线圈相连接,

上述半导体集成电路的电源端子和接地端子与预定的金属端子 相连接。

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