[发明专利]半导体器件以及防止用户伪造物体的方法有效

专利信息
申请号: 200910173652.4 申请日: 2005-10-12
公开(公告)号: CN101676931A 公开(公告)日: 2010-03-24
发明(设计)人: 野村亮二;安部宽子;岩城裕司;山崎舜平 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: G06K19/07 分类号: G06K19/07;G06K19/077;B42D15/10;H01L27/28;G11C13/02;B42D109/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 屠长存
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件 以及 防止 用户 伪造 物体 方法
【说明书】:

本分案申请是基于申请号为200580035611.9(国际申请号为PCT/JP2005/019156),申请日为2005年10月12日,发明名称为“半导体器件及其驱动方法”的中国专利申请的分案申请。 

技术领域

本发明涉及半导体器件以及驱动该半导体器件的方法。 

背景技术

近年来个体识别技术吸引了很多注意力。例如,有一种技术用于制造和管理,其中通过向单个对象给于ID(个体识别号)来表明诸如对象历史的信息。首先,利用电磁场或无线电波在不接触的情况下发送和接收数据的半导体器件的发展取得了进步。具体地说,作为这种半导体器件,无线芯片(也称为“ID标签”、“IC标签”和“IC芯片”、“RF(射频)标签”、“无线标签”、“电子标签”或“RFID(射频标识)”)正开始被引入公司、市场等等。 

很多已经投入实用的半导体器件具有采用半导体衬底的电路(也称为“IC(集成电路)芯片”)和天线,该IC芯片包括存储器和控制电路。 

此外,根据设置在IC芯片中的存储器结构,诸如写入信息或读取信息的方式分为各种方法。例如在采用掩模ROM作为存储电路的情况下,除了在制造芯片时之外不能执行数据写入。在这种情况下,除了在制造芯片时之外不能执行数据写入,因此该芯片不是用户界面友好的。由此,需要可以在制造芯片时之外写入数据的ID芯片。 

另一方面,在采用EEPROM等作为存储电路的情况下,虽然用户可以自由地重新写入内容,但是也允许用户以外的其它人重写信息从而可能进行篡改(例如非专利文献1)。因此,目前没有足够地实现安 全措施,由此需要能够防止通过重写等进行篡改的措施。 

此外,也需要一种元件,并主动开展了积极的研究和开发。 

(非专利文献1) 

http://japan.cnet.com/news/sec/story/0,2000050480,20070122,00.htm 

发明内容

本发明的目的是提供一种半导体器件,其中可以在除了制造半导体器件时之外写入数据并防止通过重写进行篡改。此外,本发明的目的是提供容易形成并包括存储元件的低价半导体器件以及驱动该半导体器件的方法。 

为了达到该目的,本发明提供以下特征。 

根据本发明的一种半导体器件包括:多个沿着第一方向延伸的位线、多个沿着不同于第一方向的第二方向延伸的字线、包括多个设置在位线和字线的交叉部位的存储单元的存储单元阵列、和设置在存储单元中的有机存储元件,其中有机存储元件具有由位线、有机化合物层和字线构成的叠层结构。 

此外,根据本发明的另一种半导体器件包括:多个沿着第一方向延伸的位线、多个沿着不同于第一方向的第二方向延伸的字线、包括多个设置在位线和字线的交叉部位的存储单元的存储单元阵列、设置在存储单元中的有机存储元件、和天线,其中有机存储元件具有由位线、有机化合物层和字线构成的叠层结构。 

此外,在根据本发明的各半导体器件中,位线和字线中的至少一个具有透光特性。 

此外,根据本发明的另一种半导体器件包括:多个沿着第一方向延伸的位线、多个沿着不同于第一方向的第二方向延伸的字线、和包括多个被位线和字线围绕的存储单元的存储单元阵列,其中该存储单元包括晶体管和与该晶体管电连接的有机存储元件,其中有机存储元件具有设置在一对导电层之间的有机化合物层。 

此外,根据本发明的另一种半导体器件包括:多个沿着第一方向 延伸的位线、多个沿着不同于第一方向的第二方向延伸的字线、包括多个被位线和字线围绕的存储单元的存储单元阵列、和天线,其中该存储单元包括晶体管和与该晶体管电连接的有机存储元件,其中有机存储元件具有设置在一对导电层之间的有机化合物层。 

此外,在根据本发明的每种半导体器件中,所述一对导电层中的至少一个具有透光特性。 

此外,在根据本发明的每种半导体器件中,所述有机存储元件具有可通过写入而不可逆转地改变的电阻。 

此外,在根据本发明的每种半导体器件中,所述有机存储元件的电极之间的距离通过写入而改变。 

此外,在根据本发明的每种半导体器件中,所述有机化合物层包括电子传输材料和空穴传输材料之一。 

此外,在根据本发明的每种半导体器件中,所述有机化合物层具有大于等于10-15S/cm且小于等于10-3S/cm的电导率。 

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