[发明专利]固态图像捕捉元件和电子信息设备

权利要求书

1.一种固态图像捕捉元件，其包括像素阵列部分，其中将阱层设置在半导体衬底或者半导体区域上，并且将用于对来自对象的图像光实施光电转换并且捕捉其图像的多个光电转换元件以二维阵列布置在阱层中，

其中将高浓度阱层设置在阱层与半导体衬底或者半导体区域之间，该高浓度阱层与阱层的导电类型相同并且具有比阱层的杂质浓度更高的杂质浓度。

2.根据权利要求1所述的固态图像捕捉元件，其中该高浓度阱层的峰值浓度为1×10¹⁷cm^-3到5×10¹⁷cm^-3。

3.根据权利要求1所述的固态图像捕捉元件，其中该高浓度阱层的薄层电阻为800Ω/sq.-2000Ω/sq.。

4.根据权利要求1所述的固态图像捕捉元件，其中该高浓度阱层距表面的深度为3μm到4μm。

5.根据权利要求1所述的固态图像捕捉元件，其中该阱层和该高浓度阱层自像素阵列部分的外圆周部分侧起固定在恒定的电势。

6.根据权利要求5所述的固态图像捕捉元件，在其中的阱层中，位于像素阵列部分的外圆周部分侧上的阱层与金属布线通过介于二者之间的多个接触电连接。

7.根据权利要求1所述的固态图像捕捉元件，其中每个光电转换元件包括：

设置在第一导电类型的半导体衬底或者第一导电类型的半导体区域上的第二导电类型的阱层；以及

设置在第二导电类型的阱层中的第一导电类型的杂质区域。

8.根据权利要求7所述的固态图像捕捉元件，其中第一导电类型的杂质区域被其上的第二导电类型的表面杂质高浓度区域掩埋。

9.根据权利要求1或7所述的固态图像捕捉元件，其中通过与阱层的导电类型相同的杂质区域将像素阵列部分的每个像素与其他像素分开。

10.根据权利要求1所述的固态图像捕捉元件，其中该固态图像捕捉元件是CMOS类型的固态图像捕捉元件或者CCD类型的固态图像捕捉元件。

11.根据权利要求10所述的固态图像捕捉元件，其中像素阵列部分中的每个像素包括：电荷传输部分，其用于将光电转换元件中光电转换的信号电荷传输到电压检测部分；以及信号读取电路，其用于放大在电压检测部分处根据信号电荷检测到的信号电压，从而将其作为图像捕捉信号输出。

12.根据权利要求11所述的固态图像捕捉元件，其中该信号读取电路包括：

放大部分，其用于放大在电压检测部分处检测到的信号电压，从而将其作为图像捕捉信号输出；以及

重置部分，其用于在输出图像捕捉信号之后将电压检测部分的信号电压重置为预定电压。

13.根据权利要求12所述的固态图像捕捉元件，其中该信号读取电路还包括选择部分，其用于为像素阵列部分的每个像素选择像素阵列部分中任何地址的像素。

14.根据权利要求10所述的固态图像捕捉元件，其还包括：

用于像素阵列部分的每个像素的光电转换元件；

与光电转换元件相邻设置的电荷传输部分，其用于在预定方向上传输来自光电转换元件的信号电荷，以及

用于控制电荷的传输的电荷传输电极。

15.根据权利要求1所述的固态图像捕捉元件，其中该高浓度阱层至少设置在像素阵列部分之下的整个表面上。

16.一种电子信息设备，在其图像捕捉部分中包括作为图像输入设备的根据权利要求1-8和10-15中任一项的固态图像捕捉元件。