[发明专利]两端子多通道ESD器件及其方法

权利要求书

1.一种ESD器件，包括：

具有第一传导类型并具有第一掺杂浓度的半导体基底，所述半导 体基底具有第一表面和第二表面；

在所述半导体基底的所述第一表面上的第二传导类型的第一半 导体层，所述第一半导体层具有远离所述半导体基底的所述第一表面 的第一表面并具有第二掺杂浓度；

在所述第一半导体层的第一表面上的第一传导类型的第二半导 体层，所述第二半导体层具有远离所述第一半导体层的所述第一表面 的第一表面并具有第三掺杂浓度；

在所述第二半导体层的第一表面上的第二传导类型的第三半导 体层，所述第三半导体层具有远离所述第二半导体层的所述第一表面 的第一表面并具有第四掺杂浓度；

位于所述第三半导体层的第一部分和所述第二半导体层的第一 表面之间的第二传导类型的第一半导体区，所述第一半导体区形成具 有所述第二半导体层的掺杂物的齐纳二极管；

形成为第一多连通域的第一隔离槽，所述第一多连通域具有周界 并从所述第三半导体层的第一表面延伸到所述半导体基底中，其中所 述周界至少围绕所述第三半导体层的所述第一部分；以及

在所述第三半导体层的所述第一部分中形成的多个二极管。

2.如权利要求1所述的ESD器件，进一步包括从所述半导体基 底内至少延伸到所述第三半导体层中的多个导体，其中所述多个导体 在所述第一隔离槽的周界的外部。

3.如权利要求1所述的ESD器件，其中所述多个二极管包括第 一P-N二极管，所述第一P-N二极管在所述第三半导体层的第一表面 上形成为第一掺杂区并上覆于所述第一半导体区的一部分；以及

第二P-N二极管，其在所述第三半导体层和所述第二半导体层 之间的界面处形成。

4.如权利要求1所述的ESD器件，其中所述ESD器件没有位 于所述多个二极管和所述第一半导体区之间的第一传导类型的掺杂 区。

5.一种形成ESD器件的方法，包括：

提供具有第一表面和第二表面的半导体基底；

在所述半导体基底的第一表面上形成隔离层，所述隔离层具有远 离所述半导体基底的所述第一表面的第一表面；

形成位于所述隔离层的第一表面上并具有远离所述半导体基底 的所述第一表面的第一表面的导体层，其中所述隔离层禁止电流从所 述导体层流入所述半导体基底；

在所述导体层的第一表面上形成第一传导类型的半导体层，所述 半导体层具有远离所述导体层的所述第一表面的第一表面，其中所述 导体层将电流从所述半导体层横向传导通过所述导体层；

形成位于所述半导体层的第一部分和所述导体层的所述第一表 面之间的第一半导体区；

形成从所述半导体层的所述第一表面延伸到所述半导体基底中 的第一阻挡结构，其中所述阻挡结构的周界至少包围所述半导体层的 第一部分；

在所述半导体层的第一部分中形成多个二极管，其中所述多个二 极管的一部分上覆于所述第一半导体区；以及

形成从所述半导体层延伸到所述半导体基底中的导体以提供与 所述半导体基底的电连接，其中所述导体在所述第一阻挡结构的周界 的外部。

6.如权利要求5所述的方法，其中形成第一阻挡结构的步骤包 括：形成隔离槽且在所述隔离槽的侧壁上而不是在所述隔离槽的底部 上具有绝缘体，以及用导体填充所述隔离槽，其中所述隔离槽的周界 形成为围绕所述半导体层的第一部分的多连通域。

7.如权利要求5所述的方法，其中形成从所述半导体层延伸到 所述半导体基底中的导体的步骤包括：形成从所述半导体层的第一表 面延伸到所述半导体基底中的多个开口，在所述多个开口的侧壁上而 不在所述多个开口的底部上形成绝缘体，以及用导体填充所述多个开 口。