[发明专利]激光加工方法以及激光加工装置

权利要求书

1.一种激光加工方法，其特征在于，

包括：

定位工序，在加工对象物的内部，确定从所述加工对象物的表面 起沿着所述加工对象物的厚度方向、离开第1距离的第1位置、离开 比所述第1距离短的第2距离的第2位置、以及离开比所述第1距离 长的第3距离的第3位置；

形成第1改质区的工序，在确定所述第1位置、所述第2位置和 所述第3位置后，通过使聚光点对准所述第1位置而照射激光，从而 沿着所述加工对象物的切割预定线，不熔融所述加工对象物的激光入 射面，仅在所述加工对象物的内部形成作为切割起点的第1改质区； 和

形成第2和第3改质区的工序，在形成所述第1改质区后，通过 使聚光点对准所述第2位置而照射激光，从而沿着所述切割预定线， 不熔融所述加工对象物的所述激光入射面，仅在所述加工对象物的内 部形成作为切割起点的第2改质区，通过使聚光点对准所述第3位置 而照射激光，从而沿着所述切割预定线，不熔融所述加工对象物的所 述激光入射面，仅在所述加工对象物的内部形成作为切割起点的第3 改质区。

2.根据权利要求1所述的激光加工方法，其特征在于，

所述加工对象物是半导体晶片。

3.根据权利要求1所述的激光加工方法，其特征在于，

所述加工对象物是在表面形成了电极图形的基板。

4.根据权利要求1所述的激光加工方法，其特征在于，

所述加工对象物是在表面形成了电子器件的基板。

5.一种加工对象物的切割方法，其特征在于，

包括：形成改质区的工序，使聚光点对准放置在载置台上的加工 对象物的内部，照射脉冲宽度为1μs以下且聚光点处的峰值功率密度 为1×10⁸W/cm²以上的脉冲激光，从而沿着所述加工对象物的切割预 定线，在所述加工对象物的内部形成多个改质点，不使所述加工对象 物的激光入射面熔融而由多个所述改质点仅在所述加工对象物的内部 形成作为切割起点的改质区；

通过在所述加工对象物的厚度方向上的比厚度的一半的位置更远 离加工对象物的激光入射面的位置上，使所述脉冲激光聚光，从而形 成所述改质点，由从所述改质区向所述加工对象物的与所述激光入射 面相对的面一侧自然生长的裂纹，在与所述激光入射面相对的面上产 生沿着所述切割预定线的裂纹。

6.根据权利要求5所述的加工对象物的切割方法，其特征在于，

所述改质点为裂纹点，所述改质区为裂纹区。

7.根据权利要求5所述的加工对象物的切割方法，其特征在于，

所述改质点为熔融处理点，所述改质区为熔融处理区。

8.根据权利要求5所述的加工对象物的切割方法，其特征在于，

所述激光的照射条件为：照射聚光点处的峰值功率密度为1×10⁸W /cm²以上且脉冲宽度为1ns以下的脉冲激光，

所述改质点为折射率变化点，所述改质区为折射率变化区。