[发明专利]电子发射器件、图像显示板、图像显示设备、信息显示设备无效
| 申请号: | 200910168710.4 | 申请日: | 2009-09-03 |
| 公开(公告)号: | CN101667512A | 公开(公告)日: | 2010-03-10 |
| 发明(设计)人: | 小林玉树;西田彰志;森口拓人;塚本健夫 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
| 主分类号: | H01J1/304 | 分类号: | H01J1/304;H01J29/04;H01J29/48;H01J31/12;G09G5/00 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 魏小薇 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电子 发射 器件 图像 显示 设备 信息 | ||
技术领域
本发明涉及电场发射型电子发射器件。本发明还涉及使用电子发射器件的图像显示板、基于输入的图像信号显示图像的图像显示设备、和将输入的信息信号中包括的信号作为图像显示的信息显示设备。
背景技术
图10是常规的一般电场发射型电子发射器件的典型的截面图。在基板1上设置阴极电极2,并且在阴极电极2上设置作为圆锥形凸起的导电部件3。经由阴极电极2和绝缘层4设置栅电极5,并且栅电极5被设置为围绕导电部件3。在阴极电极2和栅电极5之间施加电压;从而,从导电部件3发射电子。作为电场发射型电子发射器件,包括MIM型电子发射器件和BSD型电子发射器件。
以面对面的关系布置其中在基板上布置有许多这样的电场发射型电子发射器件的背板和其中设置有诸如荧光体之类的发光材料的面板,并密封其周边区域;从而,可形成气密容器(图像显示板)。然后,将驱动电路连接至图像显示板;从而形成显示图像的图像显示设备。
日本专利申请特开No.S51-021471和日本专利申请特开No.01-235124公开了:一种电场发射型电子发射器件具有导电部件,所述导电部件是表面涂敷有具有低功函数(work function)和高熔点的材料的圆锥型凸起。
V.Craciun等人的“Pulsed laser deposition of crystalline LaB6thin films”,Applied Surface Science,247,2005,第384至389页;和Dattatray.J.Late等人的“Field emission studies of pulsed laserdeposited LaB6films on W and Re”,ultramicroscopy,107,2007,第825至832页公开了六硼化镧作为低功函数材料。
发明内容
需要图像显示设备中使用的电场发射型电子发射器件在较低操作电压和较低真空度(较高压力)下实现延长的稳定的电子发射。
即使导电部件的表面如日本专利申请特开No.S51-021471中公开那样涂敷有低功函数材料,随着时间的流逝常常不能执行以初始低电压进行的驱动,并且发射电流常常变得不稳定。
此外,在形成了这样的气密容器的情况下,有时重复频繁的加热过程和冷却过程(包括自然冷却),并且需要抑制由这种温度变化引起的影响。
实施本发明以解决该问题,并且本发明提供包括镧的硼化物的多晶膜的电子发射器件,构成多晶膜的微晶的大小等于或大于2.5nm,并且等于或小于100nm。
根据本发明,可减小发射电流的波动。此外,功函数可等于或小于3.0eV;因此,可减小驱动电压。此外,即使经过电子发射器件的制造过程,也可抑制剥离等的发生。
参照附图阅读对示例性实施例的以下描述,本发明的其他特征将变得清晰。
附图说明
图1是电子发射器件的实施例的例子的典型截面图;
图2是驱动电子发射器件的情况下的例子的典型视图;
图3是示出镧的硼化物的多晶膜的配置的典型视图;
图4A至4C是电子发射器件的实施例的另一个例子的典型视图;
图5是示出电子源的例子的典型平面图;
图6是示出图像显示板的例子的典型截面图;
图7是示出图像显示设备和信息显示设备的例子的框图;
图8A至8F是示出电子发射器件的制造过程的例子的典型视图;
图9A至9C是电子发射器件的实施例的另一个例子的典型视图;以及
图10是常规电子发射器件的典型截面图。
具体实施方式
在下文中,将参照附图详细描述根据本实施例的电子发射器件和图像显示设备。
图1示出本实施例的电子发射器件10的例子的典型截面图。
在基板1上设置阴极电极2,并且在阴极电极2上设置与该阴极电极2电连接的导电部件3。阴极电极2具有调整导电部件3的电位以及将电子供应至导电部件3的功能。可在阴极电极2和导电部件3之间进一步设置电阻层。在图1所示的实施例中,导电部件3是圆锥形凸起;然而,导电部件3可被配置为只要包括凸起部分(或尖锐部分)即可。
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