[发明专利]发光器件有效
| 申请号: | 200910168678.X | 申请日: | 2005-01-26 |
| 公开(公告)号: | CN101697353A | 公开(公告)日: | 2010-04-21 |
| 发明(设计)人: | 川上贵洋;土屋薰;西毅;平形吉晴;贵田启子;佐藤步;山嵜舜平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/15;H01L51/52;H01L33/00 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 李玲 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 器件 | ||
1.一种发光器件,包括:
衬底;
设置在所述衬底上的第一绝缘层;
设置在所述第一绝缘层上的晶体管;
具有第一开口部分并且覆盖所述晶体管的第二绝缘层;
设置在所述第二绝缘层上并且电连接至所述晶体管的第一电极,其中所述第一电极在所述第一开口部分中和所述第一绝缘层接触;
具有第二开口部分并且覆盖所述第二绝缘层的堤坝层;
设置成在所述第二开口部分中和所述第一电极重叠的发光层;
设置成在所述第二开口部分中和所述发光层重叠的第二电极。
2.如权利要求1所述的发光器件,还包括设置在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间的第三绝缘层,其中所述第三绝缘层包括氧化硅。
3.一种发光器件,包括:
衬底;
设置在所述衬底上的第一绝缘层;
设置在所述第一绝缘层上的晶体管;
具有第一开口部分并且覆盖所述晶体管的第二绝缘层;
在所述第一开口部分内覆盖所述第二绝缘层和所述第一绝缘层的第三绝缘层;
设置在所述第三绝缘层上并且电连接至所述晶体管的第一电极;
具有第二开口部分并且覆盖所述第三绝缘层的堤坝层;
设置成在所述第二开口部分中与所述第一电极重叠的发光层;
设置成在所述第二开口部分中与所述发光层重叠的第二电极。
4.如权利要求3所述的发光器件,其中在所述第三绝缘层包括含氧氮化硅。
5.如权利要求3所述的发光器件,其中所述第三绝缘层具有低湿渗透性。
6.一种发光器件,包括:
衬底;
设置在所述衬底上的第一绝缘层;
设置在所述第一绝缘层上的晶体管;
设置在所述第一绝缘层上并且覆盖所述晶体管的第二绝缘层;
具有第一开口部分并且覆盖所述第二绝缘层的第三绝缘层;
设置在所述第三绝缘层上并且电连接至所述晶体管的第一电极,其中所述第一电极在所述第一开口部分中与所述第二绝缘层接触;
具有第二开口部分并且覆盖所述第三绝缘层的堤坝层;
设置成在所述第二开口部分中与所述第一电极重叠的发光层;
设置成在所述第二开口部分中与所述发光层重叠的第二电极。
7.如权利要求6所述的发光器件,其中所述第二绝缘层的侧壁被所述第三绝缘层覆盖。
8.如权利要求6所述的发光器件,其中通过使用具有自成平面性能的无机物形成所述第三绝缘层。
9.如权利要求1-8中任意一项所述的发光器件,其中所述第一绝缘层具有大于衬底但小于所述第一电极的折射率。
10.如权利要求1-8中任意一项所述的发光器件,其中所述第一绝缘层包括含氧氮化硅。
11.如权利要求1-8中任意一项所述的发光器件,其中所述衬底具有挠性。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





