[发明专利]图像感测装置及其制造方法有效
| 申请号: | 200910168187.5 | 申请日: | 2009-09-03 |
| 公开(公告)号: | CN101853812A | 公开(公告)日: | 2010-10-06 |
| 发明(设计)人: | 王文德;杨敦年;刘人诚;庄俊杰;林政贤 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82;H01L21/3205;H01L27/146 |
| 代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 姜燕;陈晨 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 图像 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种图像感测装置的制造方法,包括下列步骤:
提供一装置基板,其具有一前侧和一后侧;
于该装置基板中形成一第一辐射线感测区和一第二辐射线感测区,该第一辐射线感测区和该第二辐射线感测区以一隔绝结构隔开;
于该装置基板的该后侧上方形成一透明层;
于该透明层中形成一开口,该开口对准该隔绝结构;以及
利用一不透明材料填入该开口。
2.如权利要求1所述的图像感测装置的制造方法,更包括:
于该前侧上方形成一内连线结构;
于形成该透明层之前,接合一承载基板至该装置基板的该前侧;
对该不透明材料进行一化学机械研磨工艺,以形成一不透明物,该不透明物具有与该透明层的表面共平面的一表面;
于该图像感测装置的一接合垫区域中形成一另一开口,该另一开口延伸穿过该装置基板且暴露出该内连线结构;以及
于该另一开口中形成一接合垫,该接合垫部分填入该开口且直接接触该内连线结构。
3.如权利要求1所述的图像感测装置的制造方法,其中形成该开口的步骤包括于该透明层中形成一另一开口,该开口于该图像感测装置的一像素区中形成,且该另一开口于该图像感测装置的一周边区中形成。
4.如权利要求3所述的图像感测装置的制造方法,其中填入该开口的步骤包括利用该不透明材料填入该另一开口,其中该不透明材料包括金属。
5.如权利要求3所述的图像感测装置的制造方法,更包括:
于该装置基板中,且于该周边区中形成一周边元件,
其中完成形成该另一开口的步骤,以使该另一开口的宽度不小于该周边元件的宽度。
6.如权利要求1所述的图像感测装置的制造方法,其中完成形成该开口的步骤,以使该开口垂直地延伸穿过该透明层以使该开口的宽度等于该隔绝结构的宽度。
7.如权利要求1所述的图像感测装置的制造方法,填入该开口的步骤之前更包括利用一另一透明层部分填入该开口以形成一较小开口,其中该较小开口的宽度等于该隔绝结构的宽度。
8.一种图像感测装置的制造方法,包括下列步骤:
提供一装置基板,其具有一前侧和一后侧;
于该装置基板中形成一辐射线感测区;
于该装置基板的该后侧上方形成一透明层;
图案化该透明层,以形成一透明物和邻接于该透明物的一开口,该透明物对准该辐射线感测区,且该开口对准该隔绝结构;以及
利用一不透明材料填入该开口。
9.如权利要求8所述的图像感测装置的制造方法,更包括:
于该图像感测装置的该周边区中形成一周边元件;
形成该透明层之前形成邻接于该辐射线感测区的一隔绝结构;
该不透明材料进行一化学机械研磨工艺,以形成一不透明物,该不透明物的表面与该透明层共平面;
形成该不透明物之后,于该图像感测装置的一接合垫区中形成一另一开口;
于该透明物和该不透明物上方形成一金属层,该金属层对准于该周边元件,且该金属层用以定义部分填入该另一开口的一接合垫,
其中完成该隔绝结构和该辐射线感测区的步骤,以使该隔绝结构和该辐射线感测区形成于该图像感测装置的一像素区,且其中完成图案化该透明层的步骤,以使该不透明物实质上对准该隔绝结构。
10.一种图像感测装置,包括:
一装置基板,其具有一前侧和一后侧;
一辐射线感测区,形成于该装置基板中;
一透明物,形成于该装置基板的该后侧的上方,该透明物对准该辐射线感测区;以及
一不透明物,形成于该装置基板的该后侧的上方,且邻接于该透明物,
其中该透明物的一表面和该不透明物的一表面共平面,且其中该辐射线感测区、该透明物和该不透明物形成于该图像感测装置的一像素区中,该图像感测装置更包括一周边区和一接合垫区。
11.如权利要求10所述的图像感测装置,更包括:
一内连线结构,形成于该前侧的上方;
一承载基板,接合至该装置基板的该前侧;
一开口,形成于该接合垫区中,该开口延伸穿过该装置基板到该内连线结构;以及
一接合垫,部分填入该开口,
其中该透明物和该不透明物形成于该像素区中。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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