[发明专利]具光屏蔽的光学装置无效
| 申请号: | 200910165900.0 | 申请日: | 2009-08-12 |
| 公开(公告)号: | CN101997012A | 公开(公告)日: | 2011-03-30 |
| 发明(设计)人: | 王艺华;罗育伦 | 申请(专利权)人: | 奇景光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/15;G02F1/136 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 蹇炜 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 屏蔽 光学 装置 | ||
技术领域
本发明涉及光学装置,特别涉及一种具光屏蔽(light shield)的光学装置。
背景技术
光学装置(例如光学输入装置或光学输出装置)普遍使用于现今的电子系统中。光学输入装置,例如半导体影像传感器(如电荷耦合元件(CCD)或互补金属氧化物半导体(CMOS)影像传感器),普遍使用于照相机或摄影机中,用以将可见光的影像转换为电子信号。光学输出装置,例如平面显示器(如液晶显示器(LCD)),也普遍使用于现今电子装置内,用以显示光学信息。反射式硅基液晶(liquid crystal on silicon,LCOS)显示器为另一种普遍使用的光学输出装置,此种反射式技术的分辨率较一般液晶显示器来得高,且成本较低,因此常作为微型投影机(micro-projector)或微型显示器(micro-display)的光机(optical engine)构件。
光学输入装置或光学输出装置通常具矩形外形,其内部为有源区域(active area,AA),用以执行光学的输入或输出,而其周边则为非有源区域(non-active area,NA)。对于互补金属氧化物半导体(CMOS)影像传感器而言,其内部为感测区域,而围绕感测区域周边的则是非感测区域。对于反射式硅基液晶(LCOS)显示器而言,其内部为显示区域,而围绕显示区域的则是非显示区域。
传统光学输入装置、光学输出装置的非有源区域(NA)可以是被遮蔽的,也可以是未遮蔽的。即使非有源区域被遮蔽,该额外的遮蔽结构并无法有效防止光线对于有源区域(AA)的干扰。以传统互补金属氧化物半导体(CMOS)影像传感器为例,通常于周边或非感测区域形成有蓝色滤光片(CF-B)。蓝色滤光片的材料并无法有效阻隔或吸收入射光,因而常常漏光至感测区域造成噪声,因而降低感测区域的影像信号的质量。又以反射式硅基液晶(LCOS)显示器为例,来自外界的光线或反射自底部金属(或电路)层的光线往往造成杂散光的干扰,因而降低影像的显示质量。
鉴于传统光学输入装置、光学输出装置无法有效防止有源区域的光线干扰情形,因此亟需提出一种新颖机制,用以实质地解决干扰问题。
发明内容
鉴于上述,本发明实施例的目的之一在于提出一种具光屏蔽的光学装置,用以有效地防止有源区域的光线干扰情形,因而提升影像感测或显示的质量。
根据本发明实施例之一,互补金属氧化物半导体(CMOS)影像传感器包含形成于半导体基板的光二极管,及位于感测区域内的彩色滤光片,其对准形成于光二极管上方。光屏蔽形成于非感测区域,用以防止渗漏光线对感测区域产生干扰。光屏蔽与彩色滤光片形成于同一层,且光屏蔽包含黑颜料或碳。
根据本发明另一实施例,反射式硅基液晶(LCOS)显示器包含形成于半导体基板上的金属层,及位于显示区域内的彩色滤光片,其形成于金属层上方。光屏蔽形成于非感测区域,用以防止渗漏光线对显示区域产生干扰。光屏蔽与彩色滤光片形成于同一层,且光屏蔽包含黑颜料或碳。
附图说明
图1A显示本发明实施例的一的互补金属氧化物半导体(CMOS)影像传感器的平面图;
图1B显示沿图1A剖面线1B-1B’的剖面图;
图2A显示本发明另一实施例的反射式硅基液晶(LCOS)显示器的平面图;
图2B显示沿图2A剖面线2B-2B’的剖面图。
具体实施方式
图1A显示本发明实施例之一的互补金属氧化物半导体(CMOS)影像传感器(简称为CIS)的平面图。图1B则显示沿图1A剖面线1B-1B’的剖面图。虽然以互补金属氧化物半导体(CMOS)影像传感器作为示例,然而本发明也可适用于其它光学输入装置。
根据图1A所示的平面图,互补金属氧化物半导体(CMOS)影像传感器具有(但不限定于)矩形的形状。其内部(矩形)区域为有源区域(AA)10,用以执行光学输入工作(在本例中为影像感测),因此通常又称为感测区域。围绕于感测区域10的为非有源区域(NA)12,通常又称为非感测区域。在本实施例中,非感测区域12的边缘与整个互补金属氧化物半导体(CMOS)影像传感器的边缘相隔一距离。本实施例的非感测区域12具环状(ring)或回路(loop)形状。然而,在其它实施例中,非感测区域12也可以是向外延伸而接于整个互补金属氧化物半导体(CMOS)影像传感器的边缘。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





