[发明专利]具光屏蔽的光学装置无效
| 申请号: | 200910165900.0 | 申请日: | 2009-08-12 |
| 公开(公告)号: | CN101997012A | 公开(公告)日: | 2011-03-30 |
| 发明(设计)人: | 王艺华;罗育伦 | 申请(专利权)人: | 奇景光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/15;G02F1/136 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 蹇炜 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 屏蔽 光学 装置 | ||
1.一种具光屏蔽的光学装置,包含:
有源区域,用以执行光学输入或光学输出工作;
非有源区域,围绕所述有源区域并位于所述光学装置的周边;及
光屏蔽,形成于所述非有源区域,用以防止渗漏光线对所述有源区域产生干扰;
其中所述光屏蔽与所述有源区域的彩色滤光片形成于同一层,且所述光屏蔽包含黑颜料或碳。
2.如权利要求1所述的具光屏蔽的光学装置,其中所述光屏蔽阻隔或吸收所述渗漏光线。
3.一种具光屏蔽的互补金属氧化物半导体影像传感器,包含:
半导体基板;
多个光二极管,形成于所述半导体基板内;
彩色滤光片,对准形成于所述光二极管上方,所述彩色滤光片位于感测区域内;及
光屏蔽,形成于非感测区域,用以防止渗漏光线对所述感测区域产生干扰;
其中所述光屏蔽与所述彩色滤光片形成于同一层,且所述光屏蔽包含黑颜料或碳。
4.如权利要求3所述的具光屏蔽的互补金属氧化物半导体影像传感器,其中所述光屏蔽阻隔或吸收所述渗漏光线,用以防止所述渗漏光线进入所述感测区域。
5.如权利要求3所述的具光屏蔽的互补金属氧化物半导体影像传感器,还包含微透镜层,形成于所述彩色滤光片上方。
6.如权利要求3所述的具光屏蔽的互补金属氧化物半导体影像传感器,还包含一或多个平坦层,形成于所述彩色滤光片的上或下表面。
7.一种具光屏蔽的反射式硅基液晶显示器,包含:
半导体基板;
金属层,形成于所述半导体基板上;
彩色滤光片,形成于所述金属层上方,所述彩色滤光片位于显示区域内;及
光屏蔽,形成于非感测区域,用以防止渗漏光线对所述显示区域产生干扰;
其中所述光屏蔽与所述彩色滤光片形成于同一层,且所述光屏蔽包含黑颜料或碳。
8.如权利要求7所述的具光屏蔽的反射式硅基液晶显示器,其中所述光屏蔽防止渗漏光线进入所述显示区域或者防止反射自所述金属层的杂散光进入所述显示区域。
9.如权利要求7所述的具光屏蔽的反射式硅基液晶显示器,还包含保护层,形成于所述彩色滤光片与所述金属层之间。
10.如权利要求7所述的具光屏蔽的反射式硅基液晶显示器,还包含涂布层,形成于所述彩色滤光片和所述光屏蔽上。
11.如权利要求10所述的具光屏蔽的反射式硅基液晶显示器,还包含液晶层,设于所述涂布层上,且覆盖一玻璃于所述液晶层上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





