[发明专利]Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体衬底、外延晶片及它们的制造方法无效
| 申请号： | 200910164545.5 | 申请日： | 2009-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN101630641A | 公开（公告）日： | 2010-01-20 |
| 发明（设计）人： | 中山雅博;樋口恭明 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/20;H01L23/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陈海涛;樊卫民 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 衬底 外延 晶片 它们 制造 方法 | ||
1.一种制造III-V族化合物半导体衬底的方法，所述方法包括如下步骤：
准备由III-V族化合物半导体构成的衬底；
用酸性溶液清洁所述衬底；以及
在清洁之后通过湿法在所述衬底上形成氧化膜。
2.如权利要求1所述的制造III-V族化合物半导体衬底的方法，其中在所述形成氧化膜的步骤中，所形成的氧化膜的厚度为
3.如权利要求1或2所述的制造III-V族化合物半导体衬底的方法，其中在所述清洁步骤中，使用pH为6以下的酸性溶液。
4.如权利要求1或2所述的制造III-V族化合物半导体衬底的方法，其中在所述形成氧化膜的步骤中，通过使用过氧化氢水溶液形成所述氧化膜。
5.如权利要求1或2所述的制造III-V族化合物半导体衬底的方法，其中在所述准备步骤中，准备由GaAs、InP或GaN构成的衬底。
6.一种制造外延晶片的方法，所述方法包括如下步骤：
通过权利要求1或2的制造III-V族化合物半导体衬底的方法制造III-V族化合物半导体衬底；以及
在所述III-V族化合物半导体衬底上形成外延层。
7.一种III-V族化合物半导体衬底，其通过权利要求1～5中任一项的制造III-V族化合物半导体衬底的方法制造。
8.如权利要求7所述的III-V族化合物半导体衬底，其中所述氧化膜的厚度为
9.一种外延晶片，所述外延晶片包括：
权利要求7或8的III-V族化合物半导体衬底；和
设置在所述III-V族化合物半导体衬底上的外延层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
