[发明专利]光致抗蚀剂组合物的制造方法、过滤装置及涂布装置

说明书

本申请是申请人于2003年12月18日提交的申请号为200380106292.7(PCT/JP2003/016268)、发明名称为“光致抗蚀剂组合物的制造方法、过滤装置、涂布装置和光致抗蚀剂组合物”的分案申请。 

技术领域

本发明涉及光致抗蚀剂组合物的制造方法、过滤装置、涂布装置和光致抗蚀剂组合物。 

另外，本申请以日本特许2002-368931、特愿2003-416583为基础，并将其内容引入于本说明书中。 

背景技术

通常把KrF激元激光、A rF激元激光、F₂激元激光、EUV(远紫外光)、EB(电子射线)等用作光源(放射线源)的化学增幅型的光致抗蚀剂组合物，例如在特开2002-296779号公报(专利文献1)中所记载，是包含树脂成分(A)、由曝光产生酸的酸产生剂成分(B)和可以溶解这些成分的有机溶剂(C)的组合物。 

作为这种化学增幅型的光致抗蚀剂组合物，要求其具备高分辨力、高感光度并能形成形状良好的抗蚀图案。 

近年来，随着对0.15微米以下的高分辨力的抗蚀图案的需求的出现，除了这些特性以外，还要求进一步改善显影后的抗蚀图案的疵点(表面缺陷)。 

所述的疵点是例如用KLA腾科尔(テンコ-ル)社制的表面缺陷观察装置(商品名为“KLA”)，从正上方观察显影后的抗蚀图案时检测出的所有缺陷。所述的缺陷例如为显影后的浮渣、气泡、废渣、抗蚀图案间的桥等。 

为了改善这种疵点，迄今主要以抗蚀剂组合物的树脂成分和酸产生剂和溶剂成分等抗蚀剂组成为中心进行过尝试[特开2001-56556号公报(专利文献2)]。 

另外，在抗蚀剂溶液(溶液状态的光致抗蚀剂组合物)保管过程中，还存在产生微细粒子的抗蚀剂溶液的杂质时效特性(在保存光致抗蚀剂组 合物的过程中，在该光致抗蚀剂组合物中产生固体状的杂质；保存稳定性)的问题，这也需要进行改善。 

为了改善该杂质时效特性，与上述同样地以抗蚀剂组成为中心进行过尝试[特开2001-22072号公报(专利文献3)]。 

(专利文献1)特开2002-296779号公报 

(专利文献2)特开2001-56556号公报 

(专利文献3)特开2001-22072号公报 

(专利文献4)特开2002-62667号公报 

(专利文献5)特开2001-350266号公报 

但是，在专利文献2、3中记载的技术在其效果方面还不充分。 

另外，如果产生上述微细的微粒子，则有时也会成为上述疵点的原因，为了改善疵点也迫切需要改善杂质时效特性。 

但是，迄今为止能充分地改善显影后抗蚀图案的疵点、保存稳定性的方法并未为人所知。 

在特开2002-62667号公报(专利文献4)中，提出了使光致抗蚀剂组合物通过过滤器，来降低在线路中循环的光致抗蚀剂组合物中微粒子量的光致抗蚀剂组合物的制造方法。 

如在该专利文献4中所记载，在光致抗蚀剂组合物的制造中制造光致抗蚀剂组合物并使其通过过滤器是已知技术，但是即使在这种方法中，也没有达到充分改善如上所述的显影后抗蚀图案的疵点、保存稳定性的效果。 

另外，在特开2001-350266号公报(专利文献5)中，提出了使光致抗蚀剂组合物通过具有正的ζ(zeta)电位的过滤器的光致抗蚀剂组合物的制造方法。但是，根据本申请人的研究可知，如果按照专利文献5中记载的方法处理光致抗蚀剂组合物，则有时其组成会发生变化。由于该组成的变化可引起光致抗蚀剂组合物的感光度和抗蚀图案尺寸的变化，所以不妥。 

此外近年来，在显影后的抗蚀图案的疵点中，尤其在形成以ArF激元激光之后、即ArF激元激光、F₂激元激光、EUV、EB等为光源的如130nm 以下抗蚀图案之类的微细抗蚀图案时，解决疵点的问题也更加严峻起来。 

即，就KrF激元激光用抗蚀剂来说不会成为大问题的抑制显影后所谓的微细浮渣和微桥疵点变成了非常重要的问题。但是就上述现有技术而言都不能充分地解决上述问题。 

发明内容

本发明是鉴于上述情况而形成的，目的是提供能够获得可以抑制显影后抗蚀图案的疵点、尤其是抑制微细的浮渣和微桥产生的光致抗蚀剂组合物的技术。 

另外，另一目的是提供能获得杂质时效特性(保存稳定性)优良的光致抗蚀剂组合物的技术。