[发明专利]在宝石表面形成图纹的方法

权利要求书

1.一种在宝石表面形成图纹的方法，其步骤包括：

将至少一镂刻有图纹的遮蔽层覆盖于欲形成图纹的宝石表面；

在宝石表面的遮蔽层的图纹镂空处沉积生长一轮廓相应于镂空图纹的第一晶体层；以及

将遮蔽层自宝石表面上移除。

2.如权利要求1所述的在宝石表面形成图纹的方法，其中第一晶体层生长于宝石的一平滑表面。

3.如权利要求1所述的在宝石表面形成图纹的方法，其中第一晶体层生长于宝石的一凹陷表面。

4.如权利要求3所述的在宝石表面形成图纹的方法，其中宝石的凹陷表面用激光或蚀刻或机械加工形成。

5.如权利要求1所述的在宝石表面形成图纹的方法，其中宝石及第一晶体层的材质为同质或异质。

6.如权利要求1所述的在宝石表面形成图纹的方法，其中宝石及第一晶体层的颜色为相同颜色或不同颜色。

7.如权利要求1所述的在宝石表面形成图纹的方法，其中晶体生长的方法选自化学气相沉积法、物理气相沉积法、化学溶液法、脉冲激光沉积法、分子束磊晶法、电镀法中的至少一种。

8.如权利要求7所述的在宝石表面形成图纹的方法，利用脉冲激光沉积法生长一晶体，其生长晶体的条件包括：靶材与宝石同质或异质；激光源为Nd:YAG激光或KrF准分子激光的其中一种；激光功率至少1mJ；重复频率为1Hz以上；生长温度为室温至1000℃；氧分压为0-300mTorr。

9.如权利要求8所述的在宝石表面形成图纹的方法，生长一不透明的深黑颜色的立方氧化锆晶体，其生长晶体的条件为：靶材为一黑色立方氧化锆；激光源为KrF准分子激光；激光功率100mJ；重复频率为10Hz；生长温度为室温；氧分压为0mTorr。

10.如权利要求8所述的在宝石表面形成图纹的方法，生长一紫红色半透明的立方氧化锆晶体，其生长晶体的条件为：靶材为一红色立方氧化锆；激光源为KrF准分子激光；激光功率80mJ；重复频率为10Hz；生长温度为室温；氧分压为30mTorr。

11.如权利要求8所述的在宝石表面形成图纹的方法，生长一白色的立方氧化锆晶体，其生长晶体的条件为：靶材为一红色立方氧化锆；激光源为KrF准分子激光；激光功率50mJ；重复频率为10Hz；生长温度为室温；氧分压为50mTorr。

12.如权利要求8所述的在宝石表面形成图纹的方法，生长一淡褐色的立方氧化锆晶体，其生长晶体的条件为：靶材为一红色立方氧化锆；激光源为KrF准分子激光；激光功率50mJ；重复频率为10Hz；生长温度为300℃；氧分压为50mTorr。

13.如权利要求8项所述的在宝石表面形成图纹的方法，生长一蓝色的立方氧化锆晶体，其生长晶体的条件为：靶材为一蓝色立方氧化锆；激光源为KrF准分子激光；激光功率100mJ；重复频率为10Hz；生长温度为室温；氧分压为15mTorr。

14.如权利要求9至13其中之一所述的在宝石表面形成图纹的方法，还包括一加热程序，以大于300℃的温度施于具有色彩的立方氧化锆晶体，使其颜色变成透明无色。

15.如权利要求8所述的在宝石表面形成图纹的方法，生长一透明无色的立方氧化锆晶体，其生长晶体的条件为：靶材为任一颜色的立方氧化锆；激光源为KrF准分子激光；激光功率100mJ；重复频率为10Hz；生长温度大于300℃；氧分压为50mTorr。

16.如权利要求1所述的在宝石表面形成图纹的方法，其步骤还包括：

将另一镂刻有图纹的遮蔽层覆盖于第一晶体层的表面；

于第一晶体层表面的遮蔽层的图纹镂空处生长一轮廓相应于镂空图纹的第二晶体层；以及

将遮蔽层自第一晶体层表面上移除。

17.如权利要求1所述的在宝石表面形成图纹的方法，还包括一镀膜步骤，于第一晶体层表面披覆一耐磨损的透明保护层。

18.如权利要求1所述的在宝石表面形成图纹的方法，其中遮蔽层的材料为金属或陶瓷或金属和陶瓷的复合材料。