[发明专利]发光器件有效
| 申请号: | 200910160467.1 | 申请日: | 2003-01-17 |
| 公开(公告)号: | CN101673508A | 公开(公告)日: | 2010-03-17 |
| 发明(设计)人: | 纳光明;安西彩;小山润;宇田川诚;早川昌彦;山崎舜平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号: | G09G3/32 | 分类号: | G09G3/32;H01L27/32 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 李家麟 |
| 地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 器件 | ||
本申请是申请日为2003年1月17日,申请号为03102744.X,发 明名称为“发光器件”的申请的分案申请
发明领域
本发明涉及一种电致发光(EL)元件,和驱动通过在基片上形成 薄膜晶体管(以下简称TFT)而制造的电子显示器的方法。特别地,本 发明涉及一种使用半导体元件(从半导体薄膜形成的元件)的发光器 件。本发明还涉及使用该发光器件作为显示单元的电子设备。
本说明书中,所述EL元件包括利用从单态激发子发光(荧光)的 元件和利用从三态激发子发光的元件(磷光)。
背景技术
近年来,具有EL元件的发光器件作为自发光元件得到了蓬勃的发 展。与液晶显示器件不同,该发光器件是自发光型的。EL元件的结构 是在一对电极(阳极和阴极)之间固定着一个EL层。
该发光器件可以包括无源矩阵型和有源矩阵型。此处,有源矩阵型 器件适合要求高速运行的应用,以增加像素,同时增加分辨率,以用 于电影显示。
在有源矩阵型有机EL面板中的每个像素都备有一个保持电容 (CS),以保持电压。图12A示出一种像素结构的实例,图12B是其等 效电路。如专利文献1中所公开的,电容CS往往较大,而有机EL的发 光区相应地往往较小。除了电容CS,构成像素的TFT、导线、连接、隔 离壁等的形状、数量和排列也成为减小发光区的因素。由于发光区的 减小,电流密度就会增加,有机EL元件的可靠性就会严重降低。
(专利文献1)
日本专利公开No.Hei 8-234683
此外,如果开口部分被制作成复杂的形状以尽量增加孔径比,则可 能会造成有机EL部分的收缩。此处,EL部分的收缩不是指EL层在物 理上收缩的状态,而是EL元件的有效区(EL元件发光的区)从末端部 分开始逐渐收缩的状态。也就是说,由于开口部分的形状变得复杂, 末端部分的长度相对于造成所述收缩的开口部分增加。
图20示出在有源矩阵型EL显示器件中的像素部分的结构的一种 实例。由虚线框2300包围的部分代表一个像素部分,该像素部分包括 多个像素。由虚线框2310包围的部分代表一个像素。
栅极信号线(G1、G2、...Gy)连接到像素中包括的开关TFT 2301 的栅极,选择信号从栅极信号线驱动电路输入这些栅极信号线。此外, 每个像素中包括的开关TFT 2301的源区和漏区之一连接到源极信号线 (S1-Sx),信号从源极信号线驱动电路输入该源极信号线,另一个 连接到驱动TFT 2302的栅极。每个像素中包括的驱动TFT 2302的源 区和漏区之一连接到电流源线(V1、V2、...Vx),另一个连接到每个 像素中包括的EL元件2304的一个电极。此外,每个像素可以备有电 容装置2303,用于在显示期间保持驱动TFT 2302的栅极与源极之间的 电压。
EL元件2304具有一个阳极、一个阴极和在该阳极和阴极之间提供 的EL层。当EL元件2304的阳极连接到驱动TFT 2302的源区或漏区 时,EL元件2304的阳极作为一个像素电极,而其阴极作为反向电极。 相反,当EL元件2304的阴极连接到驱动TFT 2302的源区或漏区时, EL元件2304的阴极作为一个像素电极,而其阳极作为反向电极。
在本说明书中,所述反向电极的电势称为反电势。为该反向电极提 供反电势的电源称为反电源。像素电极电势与反向电极电势之间的差 值为EL驱动电压。该EL驱动电压作用于像素电极与反向电极之间的 EL层。
作为用于上述发光器件的梯度显示方法,可以举出模拟梯度系统和 数字梯度系统作为例子。
下面描述在模拟梯度系统和数字梯度系统的情况下提供Cs时的 值。
在模拟梯度系统的情况下,通常在一个帧周期中将模拟视频信号写 入每个像素一次。该模拟视频信号以模拟电压或模拟电流的形式输入 像素。在模拟电压的情况下,写入的模拟电压在像素的保持电容中存 储一个帧周期(当帧频率为60Hz时,一个帧周期持续16.66毫秒)。 在模拟电流的情况下,写入的电流在像素中被一次转换为一个模拟电 压。该模拟电压必须保持一个帧周期。
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