[发明专利]发光器件有效

专利信息
申请号: 200910160467.1 申请日: 2003-01-17
公开(公告)号: CN101673508A 公开(公告)日: 2010-03-17
发明(设计)人: 纳光明;安西彩;小山润;宇田川诚;早川昌彦;山崎舜平 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: G09G3/32 分类号: G09G3/32;H01L27/32
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 李家麟
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 发光 器件
【权利要求书】:

1.一种发光器件,包括:

多条源极信号线;

多条电流源线;

多个像素,包括:

多个发光元件,所述多个发光元件的每一个包括一个发光区; 和

多个驱动晶体管,该多个驱动晶体管分别对应于多个发光元 件;

其中所述源极信号线、电流源线和驱动晶体管被安排在与隔离壁 重叠的位置,该隔离壁在隔离像素的相邻发光区的位置处形成,

其中每一个驱动晶体管被安排在每一个驱动晶体管的半导体层与 每一个源极信号线的一部分和每一个电流源线的一部分中的至少其中 之一重叠的位置处,和

其中每一个驱动晶体管被安排在形成于隔离像素的相邻发光区的 位置处的隔离壁的下面并且所述隔离壁覆盖除发光区之外的所有区。

2.根据权利要求1所述的发光器件,还包括:

多个擦除晶体管,所述多个擦除晶体管的每一个对应于所述多个 发光元件中的一个。

3.根据权利要求1所述的发光器件,其中形成所述驱动晶体管的 沟道区的每个半导体层的形状选自U形、S形、螺旋形和曲折形。

4.根据权利要求1所述的发光器件,其中每个所述驱动晶体管的 沟道长度为L,而沟道宽度为W,且

其中,L×W>200μm2

5.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述驱动晶体管的栅- 源电压为VGS,源-漏电压为VDS,而阈值电压为Vth,且

其中所述驱动晶体管被这样驱动,即:|VDS|<|VGS|-|Vth|。

6.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述驱动晶体管的栅- 源电压为VGS,源-漏电压为VDS,而阈值电压为Vth,且

其中所述驱动晶体管被这样驱动,,即:|VDS|≥|VGS|-|Vth|,且|VGS| 不小于4V但不大于14V。

7.根据权利要求1所述的发光器件,其中每个所述驱动晶体管的 沟道长度为L,而沟道宽度为W,且

其中,L>5W。

8.根据权利要求1所述的发光器件,

其中所述发光元件发红光、绿光和蓝光中的一种光;

其中每个所述驱动晶体管的沟道长度为L,而沟道宽度为W,且

其中对应于红光的发光元件的驱动晶体管的L/W、对应于绿光的 发光元件的驱动晶体管的L/W和对应于蓝光的发光元件的驱动晶体 管的L/W互不相同。

9.一种利用根据权利要求1所述的发光器件的电子设备,

其中该电子设备选自下列设备组:电致发光显示设备、数码静态 相机、膝上型电脑、移动计算机、包括记录介质的便携式图像重现装 置、眼镜型显示器、摄像机、和移动电话。

10.一种发光器件,包括:

薄膜晶体管,其包括:

半导体层,该半导体层包括位于绝缘表面之上的沟道形成区、 源区和漏区;

在所述半导体层之上的栅极绝缘薄膜;和

在所述栅极绝缘薄膜之上的栅极;

在所述栅极和所述栅极绝缘薄膜之上的第一层间绝缘薄膜;

在该第一层间绝缘薄膜之上的源极信号线,该源极信号线与所述 半导体层的源区接触;

在该第一层间绝缘薄膜之上的电流源线;

在该第一层间绝缘薄膜之上的像素电极;以及

在该像素电极之上的发光层,

其中所述薄膜晶体管的半导体层与所述源极信号线和所述电流源 线中的至少其中一个重叠,和

其中所述第一层间绝缘薄膜形成在薄膜晶体管之上。

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