[发明专利]氧化铟锡层的形成

权利要求书

1.一种用于在绝缘基片之上形成结晶氧化铟锡(ITO)层的系 统，所述系统包括：

沉积装置，用于在所述基片之上沉积包括非晶ITO的层；以及

加热装置，用于通过向包括非晶ITO的所述层施加电流来将包 括非晶ITO的所述层加热到第一温度，以使得所述基片的温度在所述 结晶ITO的形成期间保持小于所述第一温度，其中所述第一温度足以 由所述非晶ITO的至少一部分形成结晶ITO。

2.如权利要求1所述的系统，还包括：

电阻测量装置，用于在施加所述电流期间测量包括非晶ITO的 所述层的电阻，以及基于测得的电阻，改变所述电流的施加。

3.如权利要求1所述的系统，其中所述沉积装置包括低温溅射 装置。

4.如权利要求1所述的系统，其中所述加热装置施加所述电流 包括在第一时间段期间施加第一电流，在所述第一时间段之后的第二 时间段期间停止所述第一电流的施加，并且在所述第二时间段之后的 第三时间段期间施加第二电流。

5.如权利要求1所述的系统，其中所述加热装置在所述电流的 施加期间改变所述电流的功率水平和所述电流的频率之一。

6.如权利要求5所述的系统，其中所述加热装置施加所述电流 包括在所述电流的施加早期持续增大所述功率水平和在所述电流的 施加末期持续降低所述功率水平中的一个。

7.如权利要求2所述的系统，其中由所述电阻测量装置改变所 述电流的施加包括改变所述电流的量和所述电流的施加定时之一。

8.如权利要求7所述的系统，其中由所述电阻测量装置改变所 述电流的施加定时包括在测量到的电阻达到预定阈值时停止施加所 述电流。

9.一种用于在基片之上形成结晶氧化铟锡(ITO)层的系统， 所述系统包括：

包括沉积室系统的加热装置，用于在沉积室中将ITO加热到第 一温度，并将ITO沉积到所述基片上，所述第一温度足以在所述基片 上形成结晶ITO；以及

控制装置，用于控制所述沉积室系统以在其中一部分结晶ITO 层被沉积到所述基片上的第一时间段内将所述基片放置在所述沉积 室内，以使得在所述第一时间段期间所述基片的温度保持小于所述第 一温度，并且在第一时间段之后，在其中所述基片温度降低的第二时 间段内将所述基片从所述沉积室中移出，并且重复上述放置和移出直 至结晶ITO层被形成。

10.如权利要求9所述的系统，其中所述沉积室是物理气相沉积 室。

11.一种用于对形成在基片之上的材料层进行退火的系统，所述 材料层是包括非晶氧化铟锡(ITO)的层，所述系统包括：

电磁辐射(EM)装置，用于将材料层暴露在其波长被该材料吸 收的EM辐射下，并且EM辐射将该材料加热至退火温度；

限温装置，用于通过将EM辐射曝光限制为曝光的持续时间分 布，并且通过设置EM辐射的波长、EM辐射的强度和EM辐射的入 射角而将基片的温度增加限制为小于预定温度；以及

层形成装置，用于在所述基片之上形成包括非晶ITO的所述层， 包括：在所述基片上形成中间层，其中所述中间层在EM辐射的波长 上反射或吸收所述EM辐射；以及在所述中间层上形成包括非晶ITO 的所述层，以使得所述中间层在所述基片和包括非晶ITO的所述层之 间，其中退火温度是足以由所述非晶ITO的至少一部分形成结晶ITO 的温度。

12.如权利要求11所述的系统，其中所述EM辐射是激光、紫 外(UV)辐射和微波辐射中的一种。

13.如权利要求11所述的系统，其中所述EM辐射的入射角是 在如下范围内：所述范围在入射余角和45度角之间并且包括所述入 射余角和45度角。