[发明专利]真空处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及例如对被处理体进行灰化处理等的等离子处理的真空 处理装置。

背景技术

例如在玻璃基板和半导体晶片等半导体基板的制造工序中，具有 对基板进行灰化处理的工序。如果根据图18简单说明进行这个工序的 灰化装置的一例，图中的1是在其侧方具有基板的搬入搬出口10的真 空腔室，该搬入搬出口10通过门阀11构成为自由开闭。在这个真空 腔室1的内部设置有用于载置基板、例如玻璃基板S的成为下部电极 的载置台12，并且对与该载置台12相对地设置有成为上部电极的处理 气体供给部13。而且，从处理气体供给部13向真空腔室1内供给处理 气体，并通过未图示的排气通路由未图示的真空泵对真空腔室1内进 行真空抽吸，另一方面，从高频电源14向上述载置台12施加高频电 压，由此在基板S的上方空间形成处理气体的等离子体，进而对基板S 进行灰化处理。

这种灰化处理装置具有例如在大气气氛和真空腔室之间将基板搬 入搬出的装置，在这种装置中，将基板搬入搬出真空腔室时，使腔室 内的压力恢复到大气气压；对基板进行灰化处理时，将腔室内真空抽 吸到处理压力。因此，从搬入基板到处理开始的抽真空所需要的时间 和从处理结束到搬出基板的恢复大气压的时间都是必须的，这种压力 调整很费时。

为了缩短灰化处理装置的压力调整时间，还有使真空腔室的内部 容积变小的措施。但是，在上述装置中，在与设置在大气气氛中的搬 送臂(未图示)之间交接基板时，从上述搬入搬出口10用上述搬送臂 搬入基板，使装在载置台12上的未图示的升降销上浮到载置台12的 上方侧，在这个升降销和上述搬送臂之间交接基板。因此，在载置台 12和上部电极13之间，必须要有用于交接基板的空间，灰化装置的内 部容积不能小于某种程度以下。

因此，如图19所示，本发明的发明人们就以下的结构进行了研究。 即，使容器主体1A和盖体1B可以分割地构成真空腔室1，打开盖体 1B，在其与容器主体1A之间形成用于交接基板S的开口15，通过该 开口15在腔室和大气气氛之间交接基板S，由此使载置台12和上部电 极13之间的空间变窄，缩小腔室1的内部容积。

但是，这种打开盖体1B交接基板S的结构存在以下的问题：交接 基板S时，由于真空腔室1的侧壁沿着全周打开，与现有那种侧壁部 分打开的搬入搬出口10相比开口区域大大变大，所以交接基板S时大 气中的水分也容易进入腔室1。这里会产生下述问题：如果腔室1内部 有水分进入，则将腔室1内部设定成真空气氛时，处理气氛中会有水 蒸气漂浮，处理气氛中就存在氢，而这种氢会导致灰化率变高；或由 于搬入搬出基板S时进入腔室1的水分的量不同，所以处理中会出现 偏差。另外，还会产生由于盖体1B的开放，腔室1内部会混入颗粒， 或者反之附着在腔室1内部的膜会飞散到腔室的外边的问题。

专利文献1和专利文献2中都描述了使盖体开放将基板搬入搬出 腔室的方法，但在在那个结构中都没有公开在盖体开放时使水分和颗 粒的混入量降低的技术，因此没有解决本发明的技术问题。

专利文献1：日本特开平11-54586号公报(图4-6)

专利文献2：日本特开平9-129581号公报(图1)

发明内容

本发明的目的在于提供一种在打开塞住容器主体的上部开口部的 盖体而将被处理体搬入搬出处理容器时，能够降低混入处理容器内部 的水分和颗粒的量的技术。

为此，本发明的真空处理装置的特征在于，包括：由内部具有被 处理体的载置台的容器主体和盖住这个容器主体的上部开口部的盖体 构成的处理容器；为了在上述盖体和容器主体之间形成将上述被处理 体搬入或者搬出处理容器的间隙，使上述盖体相对于容器主体进行升 降的升降机构；用于对上述处理容器内部进行真空排气的真空排气单 元；以及，以为了将上述被处理体搬入或者搬出处理容器而在盖体和 容器主体之间形成间隙时至少在被处理体的搬入区域之外的区域覆盖 住上述间隙的方式，沿周方向设置在处理容器的外周面的罩部件。