[发明专利]高精度磁场力平衡电容式单方向、双方向被动声纳传感器有效
| 申请号: | 200910145278.7 | 申请日: | 2009-05-20 |
| 公开(公告)号: | CN101893706A | 公开(公告)日: | 2010-11-24 |
| 发明(设计)人: | 陈峰 | 申请(专利权)人: | 陈峰 |
| 主分类号: | G01S7/521 | 分类号: | G01S7/521 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 545006 广西壮族自治区柳州*** | 国省代码: | 广西;45 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 高精度 磁场 平衡 电容 方向 双方 被动 声纳 传感器 | ||
1.一种高精度磁场力平衡电容式单方向、双方向被动声纳传感器,其特征是:将换能器上的两组磁场力平衡线圈(2)、(3)和石英电容极板摆动片(1)用胶水沾合成一体,然后装入两个力矩器(4)、(5)内,并和一个声纳导流罩(8)或者两个声纳导流罩(8)、(9),一起装入壳体(6)内并组合成一体。声纳信号通过运算放大器(7)进行放大。
2.根据权利要求1所述的高精度磁场力平衡电容式单方向、双方向被动声纳传感器,其特征是:将换能器上的两组磁场力平衡线圈(2)、(3)和石英电容极板摆动片(1)用胶水沾合成一体。
3.根据权利要求1所述的高精度磁场力平衡电容式单方向、双方向被动声纳传感器,其特征是:石英电容极板摆动片(1)所采用的材料为石英晶体。
4.根据权利要求1所述的高精度磁场力平衡电容式单方向、双方向被动声纳传感器,其特征是:两个力矩器(4)、(5)磁钢的中心位置有声纳导流孔。
5.根据权利要求1所述的高精度磁场力平衡电容式单方向、双方向被动声纳传感器,其特征是:一个声纳导流罩(8)或者两个声纳导流罩(8)、(9),所采用的材料为不锈钢材料或青铜材料。
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