[发明专利]有机光阻去除剂组合物

说明书

技术领域

本发明系关于一种包含极性有机溶剂、碱性的一级或二级醇胺化合物或其组合、三级胺化合物及防止金属蚀刻的抑制剂的光阻去除剂组合物。

背景技术

蚀刻制程系半导体及液晶薄膜显示器产业的微影制程中最重要的步骤之一。一般而言，光罩上的组件图案系先藉由微影制程而转移至光阻上，接着再利用蚀刻制程以达到将图案转移至薄膜上的最终目的，此经微影与蚀刻的薄膜将成为半导体组件的一部份。以金氧半导体组件或互补式金氧半导体组件的制程为例，该薄膜可为二氧化硅(SiO₂)、氮化硅(Si₃N₄)、复晶硅(Poly-Si)、铝合金、铜或磷硅玻璃(phosphosilicate，PSG)等，换言之，几乎所有构成半导体组件的主要材料皆须经过薄膜沈积、微影及蚀刻的流程，以便一层一层地进行组件的制作。

举例而言，于一般形成导体图案的制程中，通常会先于基材上依序形成一层氧化硅层与一层导体层(复晶硅或其它如铝或铜的金属材料)后，再于该导体层上形成一图案化光阻层，接着利用光阻层作为蚀刻罩幕，将曝露的导体层经干蚀刻以形成导体图案，之后再去除光阻层。

于上述形成导体图案的制程中，用于蚀刻导体层的气体系含有碳、氯或氧，然而，此等气体会与光阻层及导体层产生化学反应而在光阻层及导体层的侧壁形成高分子残留物，此高分子残留物不但会影响后续制程，还会降低导体层的效能。因此，于图案化光阻层移除后，通常会进行一洗净制程以移除在干蚀刻后附着于导体图案表面的高分子残留物。

例如，在液晶薄膜显示器的数组制程中，首先提供一基材，此基材上至少具有铜金属导线层及位于铜金属导线层上的介电层，之后利用光罩定义出所需的蚀刻图案，再进行蚀刻，形成曝露部份铜金属导线的开口。

先前技艺中已有光阻剥离组合物的相关揭示。例如，JP 2005-043874揭示一种光阻剥离液组合物，其包含5重量％至50重量％的有机胺化合物、10重量％至50重量％的乙二醇醚化合物、0重量％至30重量％的水溶性有机溶剂、0.1重量％至10重量％的防腐剂及剩余量的去离子水。

WO 2007/139315亦有关一种光阻剥离剂组合物，其包含腐蚀抑制剂、含量为腐蚀抑制剂重量2至50倍的水溶性有机胺化合物及极性溶剂。此等组合物可轻易地剥除在湿蚀刻或干蚀刻程序中所生成的硬化光阻，而不损伤暴露于组合物下部的金属膜质和氧化膜质，且仅需用水来进行后续冲洗步骤。

WO 2007/037628提供一种光阻剥离组合物，其包含5重量％至30重量％的有机胺化合物、10重量％至30重量％的乙二醇醚化合物、10重量％至50重量％的水溶性有机溶剂、0.1重量％至10重量％的腐蚀抑制剂、0.1重量％至5重量％的氧化物助溶剂及剩余量的去离子水，此组合物可同时去除光阻及在去除光阻时由基材所排出的氧化物，诸如ITO(铟锡氧化物)及IZO(铟锌氧化物)。

TW546553系揭示一种光阻用剥离液组成物，其包括烷醇胺类、糖类、水溶性有机溶媒、苯并三唑或其衍生物及水。TW228640系揭示一种光阻去除剂组成，其包括水溶性有机溶剂、水、烷基胺或醇胺、醋酸、化合物、有机酚化合物及三唑化合物。

本案发明人发现，本发明的光阻去除剂组合物可有效地剥离有机光阻，同时不会对金属基材造成蚀刻，且亦可去除金属表面的氧化物。

发明内容

本发明的目的系提供一种光阻去除剂组合物，其包含：

(1)极性有机溶剂；

(2)碱性的一级或二级醇胺化合物或其组合；

(3)三级胺化合物；及

(4)防止金属蚀刻的抑制剂。

本发明的另一目的系提供一种光阻去除剂组合物，其包含：

(1)极性有机溶剂；

(2)碱性的一级或二级醇胺化合物或其组合；

(3)三级胺化合物；

(4)防止金属蚀刻的抑制剂；及

(5)有机酸。

本发明组合物可轻易且迅速地去除在干蚀刻、抛光或离子移植加工期间所转化和硬化于基材上的光阻膜，及在该加工期间从底部金属膜所蚀刻的金属副产品所转化成的光阻膜，且此组合物亦可降低在去除光阻期间对底部金属线(尤其是铜线)的腐蚀，并可去除金属表面的氧化物。

本发明的再一目的系以本发明光阻去除剂组合物于去除在干蚀刻、抛光或离子移植加工期间所转化和硬化的光阻膜的用途。

本发明的又一目的系以本发明光阻去除剂组合物移除基材上的光阻膜的方法。

本发明的另又一目的系提供一种以本发明光阻去除剂组合物制造半导体组件的方法。

附图说明