[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

一基底，其具有一第一侧与一第二侧；

多个直通硅晶穿孔自该第一侧延伸至该第二侧；以及

一凸块下金属化接点位于该多个直通硅晶穿孔之上，其中该凸块下金属 化接点电性连接至所述多个直通硅晶穿孔的至少之一，且与该所述多个直通 硅晶穿孔的至少之一电性分离。

2.如权利要求1所述的半导体装置，还包括至少一接触垫位于该凸块下 金属化接点之下，但不与该凸块下金属化接点接触，该至少一接触垫电性连 接至与该凸块下金属化接点电性分离的该直通硅晶穿孔的至少之一。

3.如权利要求2所述的半导体装置，还包括至少一引线位于该至少一接 触垫之下，该至少一引线与该至少一接触垫电性连接。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中该凸块下金属化接点电性连接 至多于一个该直通硅晶穿孔。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其中该凸块下金属化接点包括三层 导电材料。

6.一种半导体装置，包括：

一基底，其具有一第一表面与一第二表面，该第二表面位于该第一表面 的对面；

多个直通硅晶穿孔自该第一表面延伸至该第二表面；以及

一第一凸块下金属化接点位于所述多个直通硅晶穿孔之上，且与所述多 个直通硅晶穿孔的至少之一电性连接，其中所述多个直通硅晶穿孔的至少之 一与该第一凸块下金属化接点电性分离。

7.如权利要求6所述的半导体装置，还包括至少一接触垫位于该第一凸 块下金属化接点与所述多个直通硅晶穿孔的至少之一之间且与该第一凸块 下金属化接点电性连接。

8.如权利要求6所述的半导体装置，还包括引线位于该第一凸块下金属 化接点之下且电性连接至该直通硅晶穿孔的至少之一。

9.如权利要求6所述的半导体装置，还包括一接触垫位于该第一凸块下 金属化接点之上。

10.如权利要求6所述的半导体装置，还包括多条引线位于该基底中，所 述多条引线的至少之一电性连接至该第一凸块下金属化接点，且所述多条引 线的至少之一与该第一凸块下金属化接点电性分离。

11.如权利要求6所述的半导体装置，其中该第一凸块下金属化接点与多 于一个的所述多个直通硅晶穿孔电性连接。

12.一种半导体装置，包括：

一基底，其具有一第一侧与一相对的第二侧；

一或多个接口直通硅晶穿孔自该第一侧延伸至该第二侧，该一或多个接 口直通硅晶穿孔连接至各别的位于该第一侧之上的一或多个接口接触垫；

一或多个连接直通硅晶穿孔自该第一侧延伸至该第二侧，该一或多个连 接直通硅晶穿孔连接至各别的位于该第一侧之上的一或多个连接接触垫；以 及

一第一凸块下金属化层位于该第一侧之上且该连接直通硅晶穿孔的至 少之一之上，该第一凸块下金属化层与连接直通硅晶穿孔的至少之一电性分 离，且与该接口直通硅晶穿孔的至少之一电性连接。

13.如权利要求12所述的半导体装置，其中第一凸块下金属化层电性连 接至多个该一或多个接口直通硅晶穿孔。

14.如权利要求12所述的半导体装置，还包括一或多条引线位于该第一 凸块下金属化层之下且电性连接至一或多个接口接触垫之一。

15.如权利要求12所述的半导体装置，还包括一或多个连接直通硅晶穿 孔，其不被该第一凸块下金属化层所覆盖。