[发明专利]光刻光掩模、对准方法和检验对准精确度的方法

权利要求书

1.一种光刻光掩模，包括：

一对准记号，包括：

一第一长条形图案；

一第二长条形图案，与该第一长条形图案交错；

一特定图案，连接该第二长条形图案，其中该特定图案是中空长方形或 ㄇ字型且具有与该第一长条形图案和该第二长条形图案不同的特征，其中该 光刻光掩模的对准记号用以对准一晶片的对准记号，且该晶片上的对准记号 的图案为包括四个燕尾形部分，且这些燕尾形部分沿四个不同方向延伸。

2.如权利要求1所述的光刻光掩模，其中该特定图案是ㄇ字型图案，且 该ㄇ字型图案的内缘对准该晶片上的对准记号的这些燕尾形部分之一的外 缘、该ㄇ字型图案的外缘对准该晶片上的对准记号的这些燕尾形部分之一的 外缘或该ㄇ字型图案位于这些燕尾形部分之一的范围中。

3.如权利要求1所述的光刻光掩模，其中该光刻光掩模为使用于对准曝 光系统的一倍光掩模。

4.一种对准方法，包括：

提供一晶片，包括一对准记号，该对准记号包括四个燕尾形部分，且这 些燕尾形部分沿四个不同方向延伸；

提供一光掩模，包括一对准记号，其中该光掩模的对准记号包括：

一第一长条形图案；

一第二长条形图案与该第一长条形图案交错；

一特定图案，连接该第二长条形图案，其中该特定图案具有与该第一长 条形图案和该第二长条形图案不同的特征，其中该特定图案是中空长方形或 ㄇ字型；

以该光掩模的对准记号对准该晶片的对准记号，进行一第一层曝光步 骤，其中当该特定图案是中空长方形时，以该中空长方形的中空区域的两相 对边缘对准该晶片的对准记号的燕尾形部分的边缘，当该特定图案是ㄇ字型 时，以该ㄇ字型的内部边缘或外部边缘对准该晶片的对准记号的燕尾形部分 的外部边缘；及

将该光掩模的对准记号旋转90°，对准该晶片的对准记号，进行一第二 层曝光步骤。

5.如权利要求4所述的对准方法，还包括将该光掩模的对准记号旋转 90°，对准该晶片的对准记号，进行一第三层曝光步骤。

6.如权利要求5所述的对准方法，还包括将该光掩模的对准记号旋转 90°，对准该晶片的对准记号，进行一第四层曝光步骤。

7.一种检验对准精确度的方法，包括：

提供一晶片，包括一对准记号，该对准记号包括四个燕尾形部分，且这 些燕尾形部分沿四个不同方向延伸；

提供一光掩模，包括一对准记号，其中该光掩模的对准记号包括：

一第一长条形图案；

一第二长条形图案与该第一长条形图案交错；

一特定图案，连接该第二长条形图案，其中该特定图案具有与该第一长 条形图案和该第二长条形图案不同的特征，其中该特定图案是中空长方形或 ㄇ字型；及

测量该光掩模的对准记号的特定图案和该晶片的对准记号间的距离，其 中当该特定图案是中空长方形时，该测量步骤测量该中空长方形的中空区域 的两相对边缘与该晶片的对准记号的燕尾形部分的边缘的距离，当该特定图 案是ㄇ字型时，该测量步骤测量该ㄇ字型的内部边缘或外部边缘与该晶片的 对准记号的燕尾形部分的外部边缘的距离。