[发明专利]显示装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示装置及其制造方法，尤其涉及在基板上形成有薄 膜晶体管的显示装置及其制造方法。

背景技术

有源矩阵型的显示装置被构成为：在呈矩阵状配置的各像素中， 向排列在行方向上的各像素共用的信号线(栅极信号线)提供扫描信 号，从而在列方向上依次选择这些像素，并与该选择的定时相应地通 过排列在列方向上的各像素共用的信号线(漏极信号线)来提供图像 信号。

因此，各像素具有用于通过被提供上述扫描信号而将来自漏极信 号线的图像信号输入到该像素(像素电极)的薄膜晶体管。

另外，在形成有上述像素的同一基板上设有用于向上述栅极信号 线提供扫描信号、且向上述漏极信号线提供图像信号的驱动电路，该 驱动电路也由含有多个薄膜晶体管的电路构成。并且，该驱动电路中 含有例如以互补型连接有n型薄膜晶体管和p型薄膜晶体管的CMOS 薄膜晶体管。

在此，薄膜晶体管例如构成为所谓的MIS型晶体管或MOS型晶 体管，其结构为：在覆盖半导体层而形成的栅极绝缘膜的上表面跨该 半导体层而形成栅电极，在该半导体层的上表面具有中间隔着上述栅 电极的上方区域(沟道区域)而彼此相对配置的一对电极(漏电极、 源电极)。

并且，已知为在上述半导体层中，与各电极相连接的部分具有高 浓度的杂质层来作为接触层，在沟道区域侧形成有相同导电型的低浓 度杂质层。

上述低浓度杂质层被称为所谓的LDD(Lightly Doped Drain：轻 掺杂漏极)层，例如产生缓解上述接触层与栅电极之间的电场集中的 效果。

具有这种薄膜晶体的显示装置例如公开在下述专利文献1中。

专利文献1：日本特开2004-54168号公报

发明内容

但是，在上述专利文献1所公开的显示装置中，n型薄膜晶体管 和p型薄膜晶体管的制造造成制造工序复杂化。

在n型薄膜晶体管的半导体层形成接触层时，需要掺杂n型杂质 的工序，在p型薄膜晶体管半导体层形成接触层时需要掺杂p型杂质 的工序，但此时必须利用采用所谓的光刻技术选择性地形成的光致抗 蚀剂膜来掩蔽另一方不同导电型的薄膜晶体管的至少半导体层。

对于这种情况，在n型薄膜晶体管和p型薄膜晶体管中的至少一 方中，形成上述LDD层时也是相同的。

本发明的目的在于提供一种能够实现制造工序减少的结构的显 示装置。

本发明的另一目的在于提供一种实现制造工序减少的显示装置 的制造方法。

简单说明本申请所公开的发明中代表性的技术方案的概要，如下 所述。

(1)本发明的显示装置例如是具有n型薄膜晶体管和p型薄膜 晶体管的显示装置，其特征在于，上述n型薄膜晶体管和上述p型薄 膜晶体管具有半导体层、栅极绝缘膜以及栅电极，上述半导体层具有 沟道区域、源极区域以及漏极区域，上述栅极绝缘膜形成在上述半导 体层的上层，上述栅电极跨上述半导体层而形成在上述栅极绝缘膜的 上层，在上述n型薄膜晶体管和上述p型薄膜晶体管中的一方薄膜晶 体管的上述栅电极的上述栅极绝缘膜一侧形成有由与上述栅电极的 材料不同的材料构成的金属层，在上述n型薄膜晶体管和上述p型薄 膜晶体管中的至少一方薄膜晶体管的上述沟道区域与上述源极区域 之间、以及上述沟道区域与上述漏极区域之间形成有杂质浓度比上述 源极区域和上述漏极区域低的区域。

(2)本发明的显示装置的制造方法例如是在基板上形成有n型 薄膜晶体管和p型薄膜晶体管的显示装置的制造方法，其特征在于， 包括：在上述基板上形成上述n型薄膜晶体管的第一半导体层和上述 p型薄膜晶体管的第二半导体层的步骤；形成覆盖上述第一半导体层 和上述第二半导体层的绝缘膜的步骤；在上述绝缘膜上形成覆盖上述 第一半导体层和上述第二半导体层中的一方半导体层的金属层的步 骤；在上述金属层上的与上述一方半导体层重叠的区域形成第一栅电 极，在上述金属层上的与不同于上述一方半导体层的另一方半导体层 重叠的区域形成第二栅电极的步骤；向上述第一半导体层注入n型杂 质并形成第一杂质区域的步骤；向上述第二半导体层注入p型杂质并 形成第二杂质区域的步骤；在上述第一半导体层和上述第二半导体层 中的至少一个半导体层上形成杂质浓度比上述第一杂质区域或上述 第二杂质区域低的第三杂质区域的步骤；对与上述第一栅电极重叠的 区域以外的上述金属层进行蚀刻的步骤。